講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-08-23 15:40
電流注入フォトニック結晶レーザ ○松尾慎治・佐藤具就・武田浩司(NTT) R2012-30 EMD2012-36 CPM2012-61 OPE2012-68 LQE2012-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2012-36 CPM2012-61 OPE2012-68 LQE2012-34 |
抄録 |
(和) |
超低消費エネルギーで動作する半導体レーザ実現のためにフォトニック結晶共振器の適用が検討されている.しかしながら,二次元フォトニック結晶共振器はエアブリッジ構造という特殊な構造をもつため室温連続動作する電流注入型レーザは実現されていなかった.我々は,これまで埋込ヘテロ構造を用いたフォトニック結晶レーザを開発し,光注入励起において低しきい値かつ低消費エネルギー動作を確認してきた.今回,横注入型pin接合を作製し,電流注入による室温連続発振を実現した.発振しきい値は0.39 mA,注入電流2.0 mAで出力導波路内の出力光強度は1.82Wであった.また,10 Gbit/sの直接変調動作も確認し,本提案のレーザのフィージビリティを確認した. |
(英) |
Photonic crystal lasers have attracted much attention because of the feasibility of its small energy cost operation. Thus, an electrically pumped photonic crystal laser in room-temperature continuous-wave operation is strongly desired. We have developed electrically driven photonic crystal laser employing an ultracompact active region embedded with InP layer. The device exhibits threshold current of 0.39 mA and the maximum output power at output waveguide of 1.82 W. In addition, the device is directly modulated at 10 Gbit/s. |
キーワード |
(和) |
フォトニック結晶レーザ / 光インターコネクション / 横型pin接合 / / / / / |
(英) |
photonic crystal laser / optical interconnect / lateral pin junction / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 184, LQE2012-34, pp. 47-50, 2012年8月. |
資料番号 |
LQE2012-34 |
発行日 |
2012-08-16 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
R2012-30 EMD2012-36 CPM2012-61 OPE2012-68 LQE2012-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2012-36 CPM2012-61 OPE2012-68 LQE2012-34 |
研究会情報 |
研究会 |
LQE CPM EMD OPE R |
開催期間 |
2012-08-23 - 2012-08-24 |
開催地(和) |
東北大学電気通信研究所 |
開催地(英) |
Tohoku Univ. |
テーマ(和) |
光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
LQE |
会議コード |
2012-08-LQE-CPM-EMD-OPE-R |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
電流注入フォトニック結晶レーザ |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Electrically driven photonic crystal nano cavity laser |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
フォトニック結晶レーザ / photonic crystal laser |
キーワード(2)(和/英) |
光インターコネクション / optical interconnect |
キーワード(3)(和/英) |
横型pin接合 / lateral pin junction |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
松尾 慎治 / Shinji Matsuo / マツオ シンジ |
第1著者 所属(和/英) |
NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
佐藤 具就 / Tomonari Sato / サトウ トモナリ |
第2著者 所属(和/英) |
NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
武田 浩司 / Koji Takeda / タケダ コウジ |
第3著者 所属(和/英) |
NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2012-08-23 15:40:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
LQE |
資料番号 |
R2012-30, EMD2012-36, CPM2012-61, OPE2012-68, LQE2012-34 |
巻番号(vol) |
vol.112 |
号番号(no) |
no.180(R), no.181(EMD), no.182(CPM), no.183(OPE), no.184(LQE) |
ページ範囲 |
pp.47-50 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2012-08-16 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
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