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講演抄録/キーワード
講演名 2012-08-09 09:50
ラジカル反応を応用した低温でのSiNx膜の作製
武山真弓佐藤 勝北見工大)・中田義弘小林靖志中村友二富士通研)・野矢 厚北見工大CPM2012-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-45
抄録 (和) 3次元LSIにおいては、LSIプロセス後にTSVを作製するビア・ラストプロセスが理想的である。そのためには、絶縁膜であるSiNx膜と拡散バリヤ膜を200℃以下で作ることが要求される。それに対して、SiNx膜の低温プロセスは従来技術において300~350℃程度であり、新たな成膜手法が待たれている。そこで本研究では、スパッタ法にラジカル反応を組み合わせた新たな手法によりSiNx膜の作製を試みた。この手法は既に拡散バリヤに適用可能であり、優れたバリヤ特性を実現できる有用な手法である。SiNx膜の成膜においても、200℃以下の低温でSiNx膜が成膜でき、かつラジカル処理条件を変化させることで、酸素や炭素を意図的に取り込めることが明らかとなった。これらのことから、SiNx膜と拡散バリヤ膜を低温で作製できること、用途に応じてSiNx膜の組成等を変化させられる見通しがついた。 
(英) 3-dimensional stacked LSI is of high interest to overcome the issues how to develop the integration density and/or functional value of LSIs without depending upon the scaling down of circuit size. Through-Si-Vias (TSVs) is an essential wiring technology to stack chips or wafers to form 3-D LSIs. In the ‘via last process’, it is exactly ideal, the TSV wiring is formed after performing all LSI processes. In this process, deposition of a SiNx film and a diffusion barrier should be executed at low temperatures below 200°C to avoid the deterioration of circuits already formed; however, this is one of the difficult issues, because a temperature of 300~350°C is required to form SiNx by the conventional processes reported so far. In this study, we propose a new deposition method, in which a sputter-deposited thin Si film is nitrided by assisting radical species. This method is already confirmed to be useful to form thin diffusion barrier of high performance at low temperatures. We can demonstrate the formation of thin SiNx films below 200°C. The intentional incorporation of carbon and oxygen atoms into the film is also available in this method. Subsequent deposition of SiNx and barrier layers at low temperatures is possible by the method, which provides a way to realize ‘via last process’ in TSV technology.
キーワード (和) 3次元LSI / シリコン貫通ビア配線 / SiNx膜 / 低温作製 / ラジカル反応 / / /  
(英) 3-dimensional stacked LSI / Through Si via / SiNx film / low temperature process / radical reaction / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 175, CPM2012-45, pp. 51-54, 2012年8月.
資料番号 CPM2012-45 
発行日 2012-08-01 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2012-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-45

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2012-08-08 - 2012-08-09 
開催地(和) 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子部品・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2012-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ラジカル反応を応用した低温でのSiNx膜の作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low temperature deposition of SiNx thin films by radical-assisted reaction 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 3次元LSI / 3-dimensional stacked LSI  
キーワード(2)(和/英) シリコン貫通ビア配線 / Through Si via  
キーワード(3)(和/英) SiNx膜 / SiNx film  
キーワード(4)(和/英) 低温作製 / low temperature process  
キーワード(5)(和/英) ラジカル反応 / radical reaction  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama / タケヤマ マユミ
第1著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. Technol.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 勝 / Masaru Sato / サトウ マサル
第2著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. Technol.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中田 義弘 / Yoshihiro Nakata / ナカタ ヨシヒロ
第3著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories.Ltd. (略称: Fujitsu Lab. Ltd.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 靖志 / Yasushi Kobayashi / コバヤシ ヤスシ
第4著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories.Ltd. (略称: Fujitsu Lab. Ltd.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 友二 / Tomoji Nakamura / ナカムラ トモジ
第5著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories.Ltd. (略称: Fujitsu Lab. Ltd.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 野矢 厚 / Atsushi Noya / ノヤ アツシ
第6著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. Technol.)
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講演者
発表日時 2012-08-09 09:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2012-45 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.175 
ページ範囲 pp.51-54 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-CPM-2012-08-01 


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