講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-08-09 09:25
反応性スパッタによるZrNxナノ結晶バリヤ膜の形成過程 ○佐藤 勝・武山真弓(北見工大)・青柳英二(東北大)・野矢 厚(北見工大) CPM2012-44 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-44 |
抄録 |
(和) |
Cu多層配線は微細化に伴い、数nmオーダーの膜厚の拡散バリヤ膜が要請され、かつ優れたバリヤ性を実現する必要がある。我々は、反応性スパッタによるZrNx膜を緻密なナノ結晶組織とすることにより、これを実現できることを報告してきた。そこで本研究では、そのようなナノ結晶組織を得る成膜の過程とスパッタ条件を検討した。Thorntonのゾーンモデルより、飛来するスパッタ粒子の表面移動度と成長過程を検討し、ナノ結晶組織を得るための基板温度と混合スパッタガス中の窒素濃度とターゲット電圧を検討し、2つの解を得た。これに加えて、ZrNxに固有な不定比化合物としての相安定性も広い範囲でスパッタ条件を選ぶことを可能にしている要因と考えられる。 |
(英) |
Thin diffusion barriers of high performance in several nm thicknesses are required as the size of Cu multilevel interconnects is scaled down. We have demonstrated that a reactively sputtered ZrNx thin barrier in nanocrystalline texture meets this requirement. In this study, we investigate the process and conditions to form nanocrystalline textured ZrNx thin films by reactive sputtering consulting the structure zone model by Thornton. Considering the surface mobility of incoming ad-molecules and growth process, we find two solutions to form nanocrystalline phase by choosing sputtering conditions of proper nitrogen composition in the sputtering gas, substrate temperature and target voltage. The stability of ZrNx phase as a non-stoichiometry compound also contributes the wide variation of sputtering conditions examined. |
キーワード |
(和) |
Cu配線 / 極薄バリヤ / ZrN / ナノ結晶 / 反応性スパッタ / / / |
(英) |
Cu interconnects / Extremely thin barrier / ZrN / Nano-crystalline / Reactive sputtering / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 175, CPM2012-44, pp. 45-49, 2012年8月. |
資料番号 |
CPM2012-44 |
発行日 |
2012-08-01 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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