講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-08-08 13:00
HWCVD法により低温形成したSiC薄膜の成長圧力依存性 ○阿部克也・周 澤宇・山上朋彦(信州大) CPM2012-33 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-33 |
抄録 |
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キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 175, CPM2012-33, pp. 1-4, 2012年8月. |
資料番号 |
CPM2012-33 |
発行日 |
2012-08-01 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
CPM2012-33 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-33 |
研究会情報 |
研究会 |
CPM |
開催期間 |
2012-08-08 - 2012-08-09 |
開催地(和) |
山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 |
開催地(英) |
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テーマ(和) |
電子部品・材料,一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
CPM |
会議コード |
2012-08-CPM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
HWCVD法により低温形成したSiC薄膜の成長圧力依存性 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Growth pressure dependence of SiC films grown by HWCVD at low substrate temperature |
サブタイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
阿部 克也 / Katsuya Abe / アベ カツヤ |
第1著者 所属(和/英) |
信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
周 澤宇 / Takuu Syu / シュウ タクウ |
第2著者 所属(和/英) |
信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山上 朋彦 / Tomohiko Yamakami / ヤマカミ トモヒコ |
第3著者 所属(和/英) |
信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2012-08-08 13:00:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
CPM |
資料番号 |
CPM2012-33 |
巻番号(vol) |
vol.112 |
号番号(no) |
no.175 |
ページ範囲 |
pp.1-4 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2012-08-01 (CPM) |
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