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講演抄録/キーワード
講演名 2012-08-08 13:00
HWCVD法により低温形成したSiC薄膜の成長圧力依存性
阿部克也周 澤宇山上朋彦信州大CPM2012-33 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-33
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文献情報 信学技報, vol. 112, no. 175, CPM2012-33, pp. 1-4, 2012年8月.
資料番号 CPM2012-33 
発行日 2012-08-01 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード CPM2012-33 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-33

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2012-08-08 - 2012-08-09 
開催地(和) 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子部品・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2012-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) HWCVD法により低温形成したSiC薄膜の成長圧力依存性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Growth pressure dependence of SiC films grown by HWCVD at low substrate temperature 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 阿部 克也 / Katsuya Abe / アベ カツヤ
第1著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 周 澤宇 / Takuu Syu / シュウ タクウ
第2著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山上 朋彦 / Tomohiko Yamakami / ヤマカミ トモヒコ
第3著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ.)
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講演者
発表日時 2012-08-08 13:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2012-33 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.175 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-CPM-2012-08-01 


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