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講演抄録/キーワード
講演名 2012-08-08 14:15
MOVPE法によるSi基板上GaPとSi表面処理の関係
高木達也宮原 亮堀江陽介・○高野 泰静岡大CPM2012-36 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-36
抄録 (和) 有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板上に作製したGaPにはアンチフェーズドメイン(APD)とよばれる欠陥が発生しやすい。APDを抑制する目的でSi基板に2°及び4°オフ基板を使用した。成長温度を830℃とし、PH3照射下でGa原料(トリエチルガリウム)を供給することによりGaPをさせた。成長前にSi基板を熱処理した。GaP層を原子間力顕微鏡観察及び透過電子顕微鏡観察した。4°オフ基板上ではシングルドメインのGaPが得られた。しかしGaP成長初期に数のAPDが観察された。GaP成長直前のSi基板の熱処理温度及び水素圧力を変えるとAPDの発生量が変化した。 
(英) GaP layers were grown on Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy. In order to suppress APD generation, Si(100) substrates 2° or 4°-misoriented toward (011) were used. The substrates were heated in a H2 flow before GaP nucleation. Growth was initiated by supplying Triethylgallium and PH3. The structures were characterized using atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). Single domain GaP layers were readily obtained on 4°-misoriented substrates. At initial growth stage, however, many APDs appeared. The APD structure changed with heating conditions for Si substrates such as temperature and H2 pressure.
キーワード (和) MOVPE / GaP / シリコン基板上 / アンチフェーズドメイン / 原子間力顕微鏡 / 透過電子顕微鏡 / /  
(英) MOVPE / GaP / Si substrate / antiphase domain / atomic force microscopy / transmission electron microscopy / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 175, CPM2012-36, pp. 17-20, 2012年8月.
資料番号 CPM2012-36 
発行日 2012-08-01 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2012-36 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-36

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2012-08-08 - 2012-08-09 
開催地(和) 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子部品・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2012-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MOVPE法によるSi基板上GaPとSi表面処理の関係 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Influence of Si surface annealing on GaP on Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) MOVPE / MOVPE  
キーワード(2)(和/英) GaP / GaP  
キーワード(3)(和/英) シリコン基板上 / Si substrate  
キーワード(4)(和/英) アンチフェーズドメイン / antiphase domain  
キーワード(5)(和/英) 原子間力顕微鏡 / atomic force microscopy  
キーワード(6)(和/英) 透過電子顕微鏡 / transmission electron microscopy  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 達也 / Tatsuya Takagi / タカギ タツヤ
第1著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮原 亮 / Ryo Miyahara / ミヤハラ リョウ
第2著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀江 陽介 / Yohsuke Horie / ホリエ ヨウスケ
第3著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 高野 泰 / Yasushi Takano / タカノ ヤスシ
第4著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
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講演者
発表日時 2012-08-08 14:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2012-36 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.175 
ページ範囲 pp.17-20 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-CPM-2012-08-01 


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