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講演抄録/キーワード
講演名 2012-08-03 13:35
オンチップゲートブーストを用いた0.45V入力、効率90%以上のバックコンバータ
張 信陳 柏宏東大)・劉 良勝半導体理工学研究センター)・石田光一東大)・大熊康介渡辺和紀半導体理工学研究センター)・桜井貴康高宮 真東大SDM2012-83 ICD2012-51 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-83 ICD2012-51
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文献情報 信学技報, vol. 112, no. 170, ICD2012-51, pp. 111-114, 2012年8月.
資料番号 ICD2012-51 
発行日 2012-07-26 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2012-08-02 - 2012-08-03 
開催地(和) 札幌市男女共同参画センター 
開催地(英) Sapporo Center for Gender Equality, Sapporo, Hokkaido 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Low-power, low-voltage device and circuit technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2012-08-ICD-SDM 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) オンチップゲートブーストを用いた0.45V入力、効率90%以上のバックコンバータ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 0.45-V Input Higher Than 90% Efficiency Buck Converter with On-Chip Gate Boost 
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 張 信 / Xin Zhang / チョウ シン
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 陳 柏宏 / Po-Hung Chen /
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 劉 良勝 / Yoshikatsu Ryu /
第3著者 所属(和/英) 半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 石田 光一 / Koichi Ishida /
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 大熊 康介 / Yasuyuki Okuma /
第5著者 所属(和/英) 半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 和紀 / Kazunori Watanabe /
第6著者 所属(和/英) 半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 桜井 貴康 / Takayasu Sakurai /
第7著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 高宮 真 / Makoto Takamiya /
第8著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2012-08-03 13:35:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-SDM2012-83,IEICE-ICD2012-51 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.169(SDM), no.170(ICD) 
ページ範囲 pp.111-114 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2012-07-26,IEICE-ICD-2012-07-26 


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