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| 講演名 | 2012-08-03 09:25 ［招待講演］ナノカーボン配線 ～ 微細金属配線代替を目指して ～ ○梶田明広・和田 真・斎藤達朗・北村政幸・山崎雄一・片桐雅之・伊東 伴・西出大亮・松本貴士・磯林厚伸・鈴木真理子・坂田敦子・渡邉勝仁・佐久間尚志・酒井忠司（超低電圧デバイス技研組合）  SDM2012-78 ICD2012-46 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-78 ICD2012-46 |
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| 抄録 | （和） | LSIの高集積化・微細化の進展により、そこに使用される配線幅は10nm台となってきており、細線効果による金属配線材料の抵抗率の急増が大きな問題となっている。一方、グラフェンやカーボンナノチューブ（CNT）に代表されるナノカーボン材料は、その特異な伝導メカニズムから、配線幅や配線長に依存しない一定の抵抗となることが期待され、超微細幅の金属配線や超高アスペクト比のビア金属プラグにおいては、金属材料を代替する可能性がある。超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）では、将来の共通基盤プロセス技術として、グラフェンを用いた微細配線およびCNTを用いた高アスペクトビアのLSI配線への応用研究を進めており、LSIプロセスとの整合性のあるCVD法を用いたグラフェン成長、CNT成長技術を中心に開発状況を紹介する。 |
| （英） | The width of interconnects has been shrinking toward 10nm in accordance with LSI devices shrinkage. The resistivity of such ultra-fine metal interconnects increases steeply, because the size effect on the resistivity becomes pronounced. On the other hand, interconnects with nano-carbon materials like graphene and CNT are expected to have the resistance which doesn’t depend on the size due to their unique conduction mechanism. So, nano-carbon interconnects have a potential to substitute urtra-fine metal interconnects and/or metal vias with very high aspect ratio. LEAP has developed both graphene wires and CNT vias in order to be applied to the future interconnects. Some challenges to grow graphene and CNT by CVD, which is suitable for LSI fabrication process, are shown. | |
| キーワード | （和） | 配線 / ナノカーボン / グラフェン / カーボンナノチューブ / / / / |
| （英） | Interconnect / Nanocarbon / Graphene / Carbon Nano Tube / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 169, SDM2012-78, pp. 83-87, 2012年8月. | |
| 資料番号 | SDM2012-78 | |
| 発行日 | 2012-07-26 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-78 ICD2012-46 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-78 ICD2012-46 |
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