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講演抄録/キーワード
講演名 2012-08-02 13:25
完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき
水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹角村貴昭岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎東大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-69 ICD2012-37
抄録 (和) 65nm技術で作製した薄膜BOX-SOI(SOTB)トランジスタのドレイン電流ばらつきを評価し,バルクMOSトランジスタと比較した.SOTBトランジスタではバルクトランジスタと比較してドレイン電流ばらつき大幅に抑制できることを実測で示し,その原因がVTHばらつきの低減および電流立ち上がり電圧(COV)の低減であることを明らかにした. 
(英) Drain current variability in silicon-on-thin-BOX (SOTB) MOSFETs by 65nm technology is analyzed and compared with conventional bulk MOSFETs. It is found that drain current variability in SOTB MOSFETs is largely suppressed thanks to not only reduced VTH variability but also reduced current-onset voltage (COV) variability due to intrinsic channel.
キーワード (和) ばらつき / ドレイン電流 / FD SOI / / / / /  
(英) Variability / Drain Current / FD SOI / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 169, SDM2012-69, pp. 33-36, 2012年8月.
資料番号 SDM2012-69 
発行日 2012-07-26 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2012-08-02 - 2012-08-03 
開催地(和) 札幌市男女共同参画センター 
開催地(英) Sapporo Center for Gender Equality, Sapporo, Hokkaido 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Low-power, low-voltage device and circuit technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Reduced Drain Current Variability in Fully Depleted Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSFETs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ばらつき / Variability  
キーワード(2)(和/英) ドレイン電流 / Drain Current  
キーワード(3)(和/英) FD SOI / FD SOI  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto / ヤマモト ヨシキ
第2著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 槇山 秀樹 / Hideki Makiyama / マキヤマ ヒデキ
第3著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 角村 貴昭 / Takaaki Tsunomura / ツノムラ タカアキ
第4著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩松 俊明 / Toshiaki Iwamatsu / イワマツ トシアキ
第5著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾田 秀一 / Hidekazu Oda / オダ ヒデカズ
第6著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ
第7著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第8著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2012-08-02 13:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2012-69,IEICE-ICD2012-37 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.169(SDM), no.170(ICD) 
ページ範囲 pp.33-36 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2012-07-26,IEICE-ICD-2012-07-26 


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