研究会情報 |
研究会 |
ICD SDM |
開催期間 |
2012-08-02 - 2012-08-03 |
開催地(和) |
札幌市男女共同参画センター |
開催地(英) |
Sapporo Center for Gender Equality, Sapporo, Hokkaido |
テーマ(和) |
低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
テーマ(英) |
Low-power, low-voltage device and circuit technology |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2012-08-ICD-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
10nm-Diameter Tri-Gate Silicon Nanowire MOSFETs with Enhanced High-Field Transport and Vth Tunability through Thin BOX |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
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キーワード(2)(和/英) |
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キーワード(3)(和/英) |
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キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
太田 健介 / Kensuke Ota / オオタ ケンスケ |
第1著者 所属(和/英) |
株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
齋藤 真澄 / Masumi Saitoh / サイトウ マスミ |
第2著者 所属(和/英) |
株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
田中 千加 / Chika Tanaka / タナカ チカ |
第3著者 所属(和/英) |
株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
内田 健 / Ken Uchida / ウチダ ケン |
第4著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: TIT) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
沼田 敏典 / Toshinori Numata / ヌマタ トシノリ |
第5著者 所属(和/英) |
株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 所属(和/英) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 所属(和/英) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 所属(和/英) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 所属(和/英) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 所属(和/英) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2012-08-02 13:50:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2012-70, ICD2012-38 |
巻番号(vol) |
vol.112 |
号番号(no) |
no.169(SDM), no.170(ICD) |
ページ範囲 |
pp.37-42 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2012-07-26 (SDM, ICD) |