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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-08-02 10:00 SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術 ○クマール アニール・更屋拓哉（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・平本俊郎（東大）  SDM2012-65 ICD2012-33 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-65 ICD2012-33 |
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| 抄録 | （和） | 電源電圧線(VDD)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより，SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのSRAM DMA TEGで実証した．個々のトランジスタのVTHシフトを調べた結果，セルのLOW側ノードに接続されているPMOSの|VTH|がストレス印加により低下していることを新たに発見し，このVTHシフトがSRAM自己修復に大きく貢献していることを初めて明らかにした． |
| （英） | The post fabrication technique for self-improvement of SRAM cell stability is validated by experiment using 1k DMA SRAM TEG array. It is shown that the stability of unbalance cells is automatically improved by merely applying stress voltage to VDD terminal. The mechanism of the phenomena is also analyzed by measuring VTH of all transistors before and after stress and it is newly found that |VTH| of the weaker PFET connected to the LOW node in the cell is selectively lowered by the self-improve mechanism and this |VTH| shift largely contributes to the self-improvement. | |
| キーワード | （和） | しきい値電圧 / CMOS / SRAM / / / / / |
| （英） | Threshold Voltage / CMOS / SRAM / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 169, SDM2012-65, pp. 13-16, 2012年8月. | |
| 資料番号 | SDM2012-65 | |
| 発行日 | 2012-07-26 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-65 ICD2012-33 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-65 ICD2012-33 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2012-08-02 - 2012-08-03 |
| 開催地（和） | 札幌市男女共同参画センター |
| 開催地（英） | Sapporo Center for Gender Equality, Sapporo, Hokkaido |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low-power, low-voltage device and circuit technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Self-Improvement of Cell Stability in SRAM by Post Fabrication Technique |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | しきい値電圧 / Threshold Voltage |
| キーワード(2)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(3)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | クマール アニール / Anil Kumar / クマール アニール |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮野 信治 / Shinji Miyano / ミヤノ シンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター (略称： 半導体理工学研究センター) Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： STARC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-08-02 10:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-65, ICD2012-33 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.169(SDM), no.170(ICD) |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-07-26 (SDM, ICD) |
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