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講演抄録/キーワード
講演名 2012-08-02 15:55
4F2のポリシリダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ
木下勝治笹子佳孝峯邑浩行安齋由美子田井光春藤崎芳久草場壽一森本忠雄高濱 高峰 利之島 明生與名本欣樹小林 孝日立SDM2012-74 ICD2012-42 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-74 ICD2012-42
抄録 (和) ストレージ向け3次元縦チェインセル型相変化メモリ(Vertical Chain-Cell-Type Phase-Change Memory: VCCPCM)を作製した。開発したVCCPCMは次の3つの特徴を持つ。(1) 複数積層したゲートにメモリホールを一括で形成するプロセスの適用によりプロセス工数が削減できる。(2) 薄膜化可能な新相変化材料を用いることで、3次元フラッシュメモリの微細化限界以下のセルサイズを実現できる。(3) 選択素子にポリシリコンダイオードを用いることで、セルファクタを4F2に減少できる。これらの特徴により、VCCPCMの相対ビットコストは3次元フラッシュメモリと比較して0.2に低減可能である。 
(英) A three-dimensional (3-D) vertical chain-cell-type phase-change memory (VCCPCM) for next-generation large-capacity storage was developed. The VCCPCM features formation of memory holes in multi-layered stacked gates by using a single mask and a memory array without a selection transistor. As a result of this configuration, the number of process steps for fabricating the VCCPCM is reduced. The excellent scalability of the VCCPCM’s new phase-change material makes it possible to reduce the cell size beyond the scaling limit of flash memory. In addition, a poly-silicon selection diode makes it possible to reduce the cell factor to 4F2. Consequently, relative cost of the VCCPCM compared to 3-D flash memory is reduced to 0.2.
キーワード (和) 相変化メモリ / チェインセル / 3次元 / 縦型 / / / /  
(英) phase-change memory / chain-cell-type / 3-D / vertical / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 169, SDM2012-74, pp. 59-63, 2012年8月.
資料番号 SDM2012-74 
発行日 2012-07-26 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2012-74 ICD2012-42 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-74 ICD2012-42

研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2012-08-02 - 2012-08-03 
開催地(和) 札幌市男女共同参画センター 
開催地(英) Sapporo Center for Gender Equality, Sapporo, Hokkaido 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Low-power, low-voltage device and circuit technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 4F2のポリシリダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Scalable 3-D vertical chain-cell-type phase-change memory with 4F2 poly-Si diodes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 相変化メモリ / phase-change memory  
キーワード(2)(和/英) チェインセル / chain-cell-type  
キーワード(3)(和/英) 3次元 / 3-D  
キーワード(4)(和/英) 縦型 / vertical  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 木下 勝治 / Masaharu Kinoshita / キノシタ マサハル
第1著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 笹子 佳孝 / Yoshitaka Sasago / ササゴ ヨシタカ
第2著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 峯邑 浩行 / Hiroyuki Minemura / ミネムラ ヒロユキ
第3著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 安齋 由美子 / Yumiko Anzai / アンザイ ユミコ
第4著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 田井 光春 / Mitsuharu Tai / タイ ミツハル
第5著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤崎 芳久 / Yoshihisa Fujisaki / フジサキ ヨシヒサ
第6著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 草場 壽一 / Shuichi Kusaba / クサバ シュウイチ
第7著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 森本 忠雄 / Tadao Morimoto / モリモト タダオ
第8著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 高濱 高 / Takashi Takahama / タカハマ タカシ
第9著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 峰 利之 / Toshiyuki Mine / ミネ トシユキ
第10著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 島 明生 / Akio Shima / シマ アキオ
第11著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 與名本 欣樹 / Yoshiki Yonamoto / ヨナモト ヨシキ
第12著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 孝 / Takashi Kobayashi / コバヤシ タカシ
第13著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-08-02 15:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2012-74, ICD2012-42 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.169(SDM), no.170(ICD) 
ページ範囲 pp.59-63 
ページ数
発行日 2012-07-26 (SDM, ICD) 


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