講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-07-27 11:00
GaAs系エッチングナノワイヤCCDにおける同期電荷転送と効率に関する検討 中野雄紀・田中貴之・○葛西誠也(北大) ED2012-51 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-51 |
抄録 |
(和) |
化合物半導体ナノワイヤネットワークを母体構造とした省面積・低消費電力論理回路の実現を進めているが,その集積システム化においてはネットワーク中を伝搬する信号の同期化が必要である.本報告では,GaAsネットワーク上に実装可能な同期化素子としてナノワイヤ電荷結合素子(CCD)を取りあげ,クロック同期化した信号伝送およびその効率について検討を行った結果について述べる.試作素子においてMHzオーダーの信号転送を実現した.一方,動的信号に対する転送効率はナノワイヤ表面状態に強く依存し,少数電子転送に大きな影響を及ぼす.SiNを用いた表面不活性化による転送効率の改善を図った. |
(英) |
For realization of the information processing system integrating nanowire-based circuits on a nanowire network, synchronized signal transfer in the network is necessary. In this report, we investigate a charge-coupled device (CCD) fabricated on a GaAs-based etched nanowire. The clocked signal transfer and the dynamic charge transfer efficiency for time-dependent bit signals were characterized. MHz-clocked charge transfer was realized in the fabricated device. The charge transfer efficiency was found to strongly depend on the nanowire surface, which significantly affected on a-few-electron transfer for low-power operation. Improvement of the transfer efficiency was investigated by SiN-based nanowire surface passivation. |
キーワード |
(和) |
電荷結合素子(CDD) / GaAs / ナノワイヤ / 電荷転送 / 同期 / / / |
(英) |
Charge-coupled device (CCD) / GaAs / Nanowire / Charge transfer / Synchronization / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 154, ED2012-51, pp. 55-59, 2012年7月. |
資料番号 |
ED2012-51 |
発行日 |
2012-07-19 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2012-51 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-51 |
研究会情報 |
研究会 |
ED |
開催期間 |
2012-07-26 - 2012-07-27 |
開催地(和) |
福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 |
開催地(英) |
Fukui University |
テーマ(和) |
半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般 |
テーマ(英) |
Semiconductor Process and Devices (surface, interface, reliability), others |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2012-07-ED |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
GaAs系エッチングナノワイヤCCDにおける同期電荷転送と効率に関する検討 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Study on Synchronized Charge Transfer and Efficiency in GaAs-based Etched Nanowire CCD |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
電荷結合素子(CDD) / Charge-coupled device (CCD) |
キーワード(2)(和/英) |
GaAs / GaAs |
キーワード(3)(和/英) |
ナノワイヤ / Nanowire |
キーワード(4)(和/英) |
電荷転送 / Charge transfer |
キーワード(5)(和/英) |
同期 / Synchronization |
キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中野 雄紀 / Yuki Nakano / ナカノ ユウキ |
第1著者 所属(和/英) |
北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
田中 貴之 / Takayuki Tanaka / タナカ タカユキ |
第2著者 所属(和/英) |
北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
葛西 誠也 / Seiya Kasai / カサイ セイヤ |
第3著者 所属(和/英) |
北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第3著者 |
発表日時 |
2012-07-27 11:00:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2012-51 |
巻番号(vol) |
vol.112 |
号番号(no) |
no.154 |
ページ範囲 |
pp.55-59 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2012-07-19 (ED) |