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| 講演名 | 2012-07-26 15:25 p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響 ○高橋利文（福井大）・金田直樹・三島友義（日立電線）・野本一貴（ノートルダム大）・塩島謙次（福井大）  ED2012-45 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-45 |
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| 抄録 | （和） | 低Mgドープp-GaNショットキー接触を用いて、誘導結合プラズマ(ICP)エッチング損傷を評価した。ICPエッチングは、電流-電圧特性のメモリー効果と順方向電流注入前後の空乏層容量の変化を大幅に低減させた。これらの減少は、アクセプター型の表面欠陥がICPエッチング中に水素原子により不活性化されたまたは、ドナー型欠陥の形成により補償されたことを示唆している。さらに、ICPエッチングにより、障壁高さが2.08 eVから2.63 eVまで増加することを光応答測定から明らかにした。界面準位の変化により、フェルミ準位の位置はエッチングによってわずかに伝導帯エッジに移動したと考えられる。熱処理により、この影響は部分的に回復し、空乏層容量は増加し、PRスペクトルは拮抗した。 |
| （英） | Low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts were applied to evaluate inductive coupled plasma (ICP) etching damages. The ICP etching greatly affected reducing the memory effect in the current-voltage characteristics and difference between the depletion layer capacitances before and after forward current injection. These reductions indicate that the acceptor-type interfacial defects were passivated by H atoms and/or compensated by donor-type defects formed during the ICP etching. Additionally, photoresponse measurements revealed that the etching increased qφB from 2.08 to 2.63 eV. Due to the change of the surface states, the Fermi level position would move to the conduction band edge slightly by the etching. By the annealing, this effect was partially removed, and then the capacitance difference increased and the PR spectrum showed less variation. | |
| キーワード | （和） | ICPエッチング / p-GaN / ショットキー接触 / メモリー効果 / アクセプター型欠陥 / / / |
| （英） | ICP etching / p-GaN / Schottky contacts / memory effect / acceptor type defects / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 154, ED2012-45, pp. 21-24, 2012年7月. | |
| 資料番号 | ED2012-45 | |
| 発行日 | 2012-07-19 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-45 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-45 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2012-07-26 - 2012-07-27 |
| 開催地（和） | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 |
| 開催地（英） | Fukui University |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Process and Devices (surface, interface, reliability), others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-07-ED |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of ICP Etching on p-type GaN Schottky Contacts |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ICPエッチング / ICP etching |
| キーワード(2)（和/英） | p-GaN / p-GaN |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contacts |
| キーワード(4)（和/英） | メモリー効果 / memory effect |
| キーワード(5)（和/英） | アクセプター型欠陥 / acceptor type defects |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 利文 / Toshifumi Takahashi / タカハシ トシフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金田 直樹 / Naoki Kaneda / カネダ ナオキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日立電線(株) (略称： 日立電線) Hitachi Cable Ltd. (略称： Hitachi Cable) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima / ミシマ トモヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日立電線(株) (略称： 日立電線) Hitachi Cable Ltd. (略称： Hitachi Cable) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野本 一貴 / Kazuki Nomoto / ノモト カズキ |
| 第4著者 所属（和/英） | ノートルダム大学 (略称： ノートルダム大) University of Notre Dame (略称： Univ. of Notre Dame) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-07-26 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-45 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.154 |
| ページ範囲 | pp.21-24 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-07-19 (ED) |
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