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講演抄録/キーワード
講演名 2012-07-19 13:30
[招待講演]単層カーボンナノチューブの選択的成長手法の確立によるナノスケールトランジスタへの応用
岩田展幸土肥智史相良拓実日大)・矢島博文東京理科大)・山本 寛日大OME2012-40 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2012-40
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文献情報 信学技報, vol. 112, no. 139, OME2012-40, pp. 1-8, 2012年7月.
資料番号 OME2012-40 
発行日 2012-07-12 (OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2012-40 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2012-40

研究会情報
研究会 OME IEE-DEI  
開催期間 2012-07-19 - 2012-07-20 
開催地(和) (財)加藤科学振興会 軽井沢研修所 
開催地(英) Karuizawa Kensyujo, Kato Foundation for Promotion of Science 
テーマ(和) 有機ナノ材料・構造制御,デバイス応用,一般 
テーマ(英) Organic Nanomaterials and Structural Control, Device Application and Related Topics 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2012-07-OME-DEI 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 単層カーボンナノチューブの選択的成長手法の確立によるナノスケールトランジスタへの応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Novel selective growth method of single-walled carbon nanotube for nano-scale transistor 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata / イワタ ノブユキ
第1著者 所属(和/英) 日大理工 (略称: 日大)
CST, Nihon University (略称: CST, Nihon Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 土肥 智史 / Satoshi Doi / ドイ サトシ
第2著者 所属(和/英) 日大理工 (略称: 日大)
CST, Nihon University (略称: CST, Nihon Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 相良 拓実 / Takumi Sagara / サガラ タクミ
第3著者 所属(和/英) 日大理工 (略称: 日大)
CST, Nihon University (略称: CST, Nihon Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢島 博文 / Hirofumi Yajima / ヤジマ ヒロフミ
第4著者 所属(和/英) 東京理科大 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: Tokyo Univ. of Sci.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto / ヤマモト ヒロシ
第5著者 所属(和/英) 日大理工 (略称: 日大)
CST, Nihon University (略称: CST, Nihon Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-07-19 13:30:00 
発表時間 45分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2012-40 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.139 
ページ範囲 pp.1-8 
ページ数
発行日 2012-07-12 (OME) 


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