講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-07-19 15:30
[チュートリアル招待講演]Flashメモリ: その動作原理と最新開発動向 ○西山 彰・村岡浩一(東芝) MR2012-11 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2012-11 |
抄録 |
(和) |
メモリーカードから 携帯端末、AV機器、PC、サーバーに至るまで、様々なところでFlash メモリーが利用されています。HDDやODDと異なり、半導体内の電荷移動のみにより動作するFlashメモリはNOR型という熱電子を主に用いるタイプと、NAND型というFNトンネル電子を用いるタイプに大別することができます。本稿前半では、その両者を動作原理から比較し、その応用範囲の違いを述べます。また、後半では比較上大きな市場を有するNAND型のさらなる微細化・大容量化のための課題と解決への種々のアプローチを紹介するとともに、NAND市場の今後の広がりについて述べていきます。 |
(英) |
Currently, flash memory is used in various electrical apparatus, such as smartphones, digital products, PCs and servers. Contrary to HDD and ODD, flash memory operates only by the movement of carriers inside the semiconductor devices; NOR-type uses hot electrons, while NAND-type uses FN tunneling electrons. The operation principle of both types is introduced along with their applications. And issues for the realization of Tbit density of NAND flash is explained along with their development direction. |
キーワード |
(和) |
フラッシュメモリ / NOR型 / NAND型 / / / / / |
(英) |
flash memory / NOR-type / NAND-type / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, 2012年7月. |
資料番号 |
|
発行日 |
2012-07-12 (MR) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
MR2012-11 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2012-11 |