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講演抄録/キーワード
講演名 2012-06-29 09:45
[招待講演]超低電力応用に向けた薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) 低電力CMOSデバイスへの要求は今でも高い。消費電力効率の高い超低電圧動作CMOSが実現すると、ユビキタスセンサネットワークなど新たな電子デバイスの応用分野が広がることが期待される。微細CMOSの低電力・高効率動作に対する主要課題は、特性ばらつきの低減と、出来るだけ低電圧で動作させながら性能向上を図るための適応制御である。これらの課題解決のため、SOTB(薄膜BOX-SOI構造トランジスタ)を開発している。本論文では、SOTBの特長、超低電圧動作に特化したトランジスタ特性最適化技術を示し、さらに超低電圧・超低電力デバイスの応用分野を広げるためのデバイス回路協調の重要性について述べる。 
(英) Needs for low-power CMOS devices are still increasing. Ultralow-voltage-operation CMOS with maximum power efficiency can extend the application field of electron devices: ubiquitous sensor network, etc. The main issues for low-power (high-efficiency) operation for the modern scaled CMOS are reducing variability and adaptive control of circuit performances enabling the operation at voltages as low as possible. In order to solve these issues, we are developing the silicon-on-thin-buried-oxide (SOTB) transistors. Features of the SOTB, transistor technology dedicated for ultralow-voltage operation are presented and importance of device-circuit interaction to extend the application field is discussed.
キーワード (和) CMOS / 完全空乏型SOI / 低電力 / ばらつき / 基板バイアス制御 / / /  
(英) CMOS / FDSOI / low power / variability / back-bias control / / /  
文献情報 信学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2012-06-27 - 2012-06-29 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawa Seinen-kaikan 
テーマ(和) 2012 先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋ワークショップ 
テーマ(英) 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-06-SDM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 超低電力応用に向けた薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Silicon on Thin Buried Oxide (SOTB) Technology for Ultralow-Power (ULP) Applications 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(2)(和/英) 完全空乏型SOI / FDSOI  
キーワード(3)(和/英) 低電力 / low power  
キーワード(4)(和/英) ばらつき / variability  
キーワード(5)(和/英) 基板バイアス制御 / back-bias control  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ
第1著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称: LEAP/Renesas)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩松 俊明 / Toshiaki Iwamatsu / イワマツ トシアキ
第2著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称: LEAP/Renesas)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto / ヤマモト ヨシキ
第3著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称: LEAP/Renesas)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 槇山 秀樹 / Hideki Makiyama / マキヤマ ヒデキ
第4著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称: LEAP/Renesas)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 角村 貴昭 / Takaaki Tsunomura / ツノムラ タカアキ
第5著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称: LEAP/Renesas)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠原 博文 / Hirofumi Shinohara / シノハラ ヒロフミ
第6著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称: LEAP/Renesas)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 青野 英樹 / Hideki Aono / アオノ ヒデキ
第7著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称: LEAP/Renesas)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾田 秀一 / Hidekazu Oda / オダ ヒデカズ
第8著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称: LEAP/Renesas)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 蒲原 史朗 / Shiro Kamohara / カモハラ シロウ
第9著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称: LEAP/Renesas)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 泰男 / Yasuo Yamaguchi / ヤマグチ ヤスオ
第10著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称: LEAP/Renesas)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ
第11著者 所属(和/英) 東京大学生産技術研究所 (略称: 東大)
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo (略称: IIS, Univ. of Tokyo)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第12著者 所属(和/英) 東京大学生産技術研究所 (略称: 東大)
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo (略称: IIS, Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2012-06-29 09:45:00 
発表時間 30 
申込先研究会 SDM 
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巻番号(vol)  
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