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講演抄録/キーワード
講演名 2012-06-27 11:15
Optimization and characterization of 600V super junction power MOSFET using a deep trench structure
Yong Tae KimKIST)・Eun Sik JungMaplesemiconductor Inc.)・Ey Goo KangFar East Univ.)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) Recently, Power MOSFET has been intensively investigated as voltage-driven devices for the applications of large power switching devices, converter, and motor control. But, a main drawback is that the on-resistance is proportionally increased with higher breakdown voltage spikes. In this work, we have designed deep trench structure and optimized design parameters of 600V super junction Power MOSFET. Comparison of the relationship between breakdown voltage and on-resistance characteristics indicates that the super junction structure provides relatively higher breakdown voltage than the conventional planar type and the on-resistance of super junction Power MOSFET can be reduced by 40 % comparing that of the Planar MOSFET at the same cell pitch and breakdown voltage. 
(英) Recently, Power MOSFET has been intensively investigated as voltage-driven devices for the applications of large power switching devices, converter, and motor control. But, a main drawback is that the on-resistance is proportionally increased with higher breakdown voltage spikes. In this work, we have designed deep trench structure and optimized design parameters of 600V super junction Power MOSFET. Comparison of the relationship between breakdown voltage and on-resistance characteristics indicates that the super junction structure provides relatively higher breakdown voltage than the conventional planar type and the on-resistance of super junction Power MOSFET can be reduced by 40 % comparing that of the Planar MOSFET at the same cell pitch and breakdown voltage.
キーワード (和) Super junction / Power MOSFET / Deep trench / On-resistance / Optimization / / /  
(英) Super junction / Power MOSFET / Deep trench / On-resistance / Optimization / / /  
文献情報 信学技報
資料番号  
発行日  
ISSN  
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研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2012-06-27 - 2012-06-29 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawa Seinen-kaikan 
テーマ(和) 2012 先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋ワークショップ 
テーマ(英) 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-06-SDM-ED 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Optimization and characterization of 600V super junction power MOSFET using a deep trench structure 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Super junction / Super junction  
キーワード(2)(和/英) Power MOSFET / Power MOSFET  
キーワード(3)(和/英) Deep trench / Deep trench  
キーワード(4)(和/英) On-resistance / On-resistance  
キーワード(5)(和/英) Optimization / Optimization  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) Yong Tae Kim / Yong Tae Kim /
第1著者 所属(和/英) Korea Institute of Science and Technology (略称: KIST)
Korea Institute of Science and Technology (略称: KIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Eun Sik Jung / Eun Sik Jung /
第2著者 所属(和/英) Maplesemiconductor Incorporated (略称: Maplesemiconductor Inc.)
Maplesemiconductor Incorporated (略称: Maplesemiconductor Inc.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Ey Goo Kang / Ey Goo Kang /
第3著者 所属(和/英) Far East University (略称: Far East Univ.)
Far East University (略称: Far East Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-06-27 11:15:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 SDM 
資料番号  
巻番号(vol) vol. 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数  
発行日  


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