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講演抄録/キーワード
講演名 2012-06-27 11:30
[招待講演]Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices
Takuji HosoiTakashi KirinoYusuke UenishiDaisuke IkeguchiAtthawut ChanthaphanOsaka Univ.)・Akitaka YoshigoeYuden TeraokaJAEA)・Shuhei MitaniYuki NakanoTakashi NakamuraROHM)・Takayoshi ShimuraHeiji WatanabeOsaka Univ.)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) Silicon carbide (SiC) is a promising material for high-power electronic devices. Although SiO$_2$ dielectric film can be grown on SiC by conventional thermal oxidation, low channel mobility and poor gate oxide reliability are the critical issues for SiC power metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). In this work, we investigated the fundamental aspects of thermally grown SiO$_2$/4H-SiC structures such as an energy band alignment and flatband voltage (VFB) instability. Both electrical characterization and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) study revealed that a conduction band offset ($\Delta$E$_c$) between SiO$_2$ and SiC is extrinsically increased by large amount of negative interface charges. High-temperature hydrogen annealing could effectively passivate interface defects, but at the same time resulted in the reduced $\Delta$E$_c$ at SiO$_2$/SiC interfaces. We also found that intrinsic positive mobile ions exist in as-oxidized SiO$_2$/SiC structures. Post-oxidation annealing in Ar ambient mostly eliminates the mobile ions, but they are generated again by subsequent high-temperature hydrogen annealing despite the improved interface quality. These features were not observed for thermally-grown SiO$_2$/Si structures, and thus considered to be inherent to thermally grown SiO$_2$/SiC structures.
キーワード (和) シリコンカーバイド / 熱酸化膜 / MOSデバイス / 界面欠陥 / 可動イオン / / /  
(英) SiC / thermal oxide / MOS devices / interface defect / mobile ion / / /  
文献情報 信学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2012-06-27 - 2012-06-29 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawa Seinen-kaikan 
テーマ(和) 2012 先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋ワークショップ 
テーマ(英) 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-06-SDM-ED 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコンカーバイド / SiC  
キーワード(2)(和/英) 熱酸化膜 / thermal oxide  
キーワード(3)(和/英) MOSデバイス / MOS devices  
キーワード(4)(和/英) 界面欠陥 / interface defect  
キーワード(5)(和/英) 可動イオン / mobile ion  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 細井 卓治 / Takuji Hosoi / ホソイ タクジ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 桐野 嵩史 / Takashi Kirino / キリノ タカシ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 上西 悠介 / Yusuke Uenishi / ウエニシ ユウスケ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 池口 大輔 / Daisuke Ikeguchi / イケグチ ダイスケ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) チャンタパン アタウット / Atthawut Chanthaphan / チャンタパン アタウット
第5著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉越 章隆 / Akitaka Yoshigoe / ヨシゴエ アキタカ
第6著者 所属(和/英) 日本原子力研究機構 (略称: 原子力機構)
Japan Atomic Energy Agency (略称: JAEA)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺岡 有殿 / Yuden Teraoka / テラオカ ユウデン
第7著者 所属(和/英) 日本原子力研究機構 (略称: 原子力機構)
Japan Atomic Energy Agency (略称: JAEA)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 箕谷 周平 / Shuhei Mitani / ミタニ シュウヘイ
第8著者 所属(和/英) ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM Co., Ltd. (略称: ROHM)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 中野 佑紀 / Yuki Nakano / ナカノ ユウキ
第9著者 所属(和/英) ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM Co., Ltd. (略称: ROHM)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 孝 / Takashi Nakamura / ナカムラ タカシ
第10著者 所属(和/英) ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM Co., Ltd. (略称: ROHM)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 志村 考功 / Takayoshi Shimura / シムラ タカヨシ
第11著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡部 平司 / Heiji Watanabe / ワタナベ ヘイジ
第12著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者
発表日時 2012-06-27 11:30:00 
発表時間 30 
申込先研究会 SDM 
資料番号  
巻番号(vol)  
号番号(no)  
ページ範囲  
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発行日  


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