| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2012-06-27 13:45
A High Performance SRAM Sense Amplifier with Vertical MOSFET
○Hyoungjun Na・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） エレソ技報アーカイブはこちら |
| 抄録 |
（和） |
In this paper, a high performance SRAM sense amplifier with vertical MOSFET is proposed, and its performances are investigated. The proposed SRAM sense amplifier with the vertical MOSFET realizes a 22% faster sensing time relative to the conventional SRAM sense amplifier with the planar MOSFET. Furthermore, the proposed SRAM sense amplifier with the vertical MOSFET achieves an 1.11dB increased voltage gain G(f) relative to the conventional SRAM sense amplifier with the planar MOSFET. As a result, the proposed SRAM sense amplifier with the vertical MOSFET is a promising circuit technique for high speed operation of the SRAM core circuit with excellent stability. |
| （英） |
In this paper, a high performance SRAM sense amplifier with vertical MOSFET is proposed, and its performances are investigated. The proposed SRAM sense amplifier with the vertical MOSFET realizes a 22% faster sensing time relative to the conventional SRAM sense amplifier with the planar MOSFET. Furthermore, the proposed SRAM sense amplifier with the vertical MOSFET achieves an 1.11dB increased voltage gain G(f) relative to the conventional SRAM sense amplifier with the planar MOSFET. As a result, the proposed SRAM sense amplifier with the vertical MOSFET is a promising circuit technique for high speed operation of the SRAM core circuit with excellent stability. |
| キーワード |
（和） |
SRAM / sense amplifier / vertical MOSFET / sensing time / high speed / voltage gain / stability / |
| （英） |
SRAM / sense amplifier / vertical MOSFET / sensing time / high speed / voltage gain / stability / |
| 文献情報 |
信学技報 |
| 資料番号 |
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| 発行日 |
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| ISSN |
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| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM ED |
| 開催期間 |
2012-06-27 - 2012-06-29 |
| 開催地（和） |
沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） |
Okinawa Seinen-kaikan |
| テーマ（和） |
2012 先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋ワークショップ |
| テーマ（英） |
2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2012-06-SDM-ED |
| 本文の言語 |
英語 |
| タイトル（和） |
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| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
A High Performance SRAM Sense Amplifier with Vertical MOSFET |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） |
sense amplifier / sense amplifier |
| キーワード(3)（和/英） |
vertical MOSFET / vertical MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） |
sensing time / sensing time |
| キーワード(5)（和/英） |
high speed / high speed |
| キーワード(6)（和/英） |
voltage gain / voltage gain |
| キーワード(7)（和/英） |
stability / stability |
| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
羅 炯竣 / Hyoungjun Na / ナ ヒョンジュン |
| 第1著者 所属（和/英） |
東北大学 (略称： 東北大)
Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ |
| 第2著者 所属（和/英） |
東北大学 (略称： 東北大)
Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第3著者 所属（和/英） |
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| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2012-06-27 13:45:00 |
| 発表時間 |
15分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
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| 巻番号（vol） |
vol. |
| 号番号（no） |
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| ページ範囲 |
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| ページ数 |
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| 発行日 |
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