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| 講演名 | 2012-06-21 10:20 極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価 ○箕浦佑也・糟谷篤志・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大）  SDM2012-47 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-47 |
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| 抄録 | （和） | Geは高いキャリア移動度を有することから、次世代CMOSデバイスのチャネル材料として有望視されている。Ge-MOSのゲート絶縁膜として、我々は極薄GeO2膜に高密度プラズマ窒化処理を施してGe3N4キャップ層を形成した酸窒化（GeON）膜を提案している。今回、極薄GeON膜を用いたMOSFETを試作し、そのデバイス特性を評価した。ゲートスタック作製プロセスを最適化することにより、1.4 nmという極薄EOTでp-及びn-MOSFET両方の動作に成功し、Si ユニバーサル移動度に対して正孔移動度は2.5倍、電子移動度はほぼ同等という優れた特性を実現した。以上の結果は、極薄GeON膜が高移動度Ge CMOSの絶縁膜として有望であることを示している。 |
| （英） | Germanium has recently attracted much attention as a promising channel material for next generation metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) because of the higher carrier mobility compared to the conventional Si. We have proposed ultrathin germanium oxynitride (GeON) layers formed by high density plasma nitridation of ultrathin thermal germanium oxide (GeO2). In this study, we fabricated Ge p- and n-MOSFETs with ultrathin GeON dielectrics and evaluated their electrical characteristics. We successfully demonstrated normal MOSFETs operation with EOT of 1.4 nm, and obtained higher mobility than that of Si MOSFET. These results indicate that ultrathin GeON is one of the possible candidates for gate dielectrics of high performance Ge MOSFETs. | |
| キーワード | （和） | ゲルマニウム / 酸窒化膜 / プラスマ窒化 / MOSFET / / / / |
| （英） | Germanium / GeON / Plasma nitridation / MOSFET / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 92, SDM2012-47, pp. 23-26, 2012年6月. | |
| 資料番号 | SDM2012-47 | |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-47 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-47 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-06-21 - 2012-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-mobility Ge MOSFETs with ultrathin GeON gate dielectrics |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(2)（和/英） | 酸窒化膜 / GeON |
| キーワード(3)（和/英） | プラスマ窒化 / Plasma nitridation |
| キーワード(4)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 箕浦 佑也 / Yuya Minoura / ミノウラ ユウヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 糟谷 篤志 / Atsushi Kasuya / カスヤ アツシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 細井 卓治 / Takuji Hosoi / ホソイ タクジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 志村 考功 / Takayoshi Shimura / シムラ タカヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡部 平司 / Heiji Watanabe / ワタナベ ヘイジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-06-21 10:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-47 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.92 |
| ページ範囲 | pp.23-26 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) |
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