| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-06-21 13:35 第一原理計算によるGe表面でのドーパント不純物偏析挙動の解析 ○飯島郁弥・澤野憲太郎（東京都市大）・牛尾二郎（日立）・丸泉琢也・白木靖寛（東京都市大）  SDM2012-52 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-52 |
|
| 抄録 | （和） | Ge(100)及びGe(111)表面上におけるドーパント原子の表面偏析挙動の理解のため、Ge表面5層のクラスタモデルを用いて、B、Ga、As、Sbドーパント原子が吸着位置から表面第５層目までにある時のポテンシャルエネルギーを第一原理計算により算出し、表面偏析挙動の比較を行った。具体的には駆動力に対応する偏析エネルギーと、温度依存性などのダイナミックな機構を左右する活性化エネルギーを第一原理計算を用いて評価したので報告する。まず、Ge(100)面において、これらのドーパント原子によるポテンシャルエネルギー曲線はSi(100)面と酷似していた。一方、Ge(111)面はGe(100)とは異なるポテンシャルプロフィールを示した。また、各ドーパント原子において、吸着位置とサブ表面位置間の移動に必要となる活性化エネルギーに関しては、Ge(100)面ではSb>B>Ga>As、Ge(111)面では、Sb>As>Ga>Bの順となった。 |
| （英） | To understand surface segregation behaviour of B, Ga, As, and Sb dopant atoms on Ge (100) and Ge (111) surfaces, the potential energies of these dopant atoms in the five top layers of the surfaces were evaluated by first-principles molecular orbital calculations of model clusters. The obtained potential energy curves of these dopant atoms for Ge (100) closely resemble those for Si (100) surface. On the other hand, Ge (111) surface exhibits different potential profiles as compared with Ge (100) surface. The thermal activation energy between the adsorbed state and sub-surface state was also evaluated for each dopant atom. These energy data determining the driving force and dynamical property of dopant segregation help us to understand the difference in dopant surface segregation phenomena on Ge(100) and Ge(111) surfaces from an atomistic point of view. | |
| キーワード | （和） | Ge(100) / Ge(111) / 表面偏析 / 第一原理計算 / / / / |
| （英） | Ge(100) / Ge(111) / surface segregation / first-principles method / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 92, SDM2012-52, pp. 47-51, 2012年6月. | |
| 資料番号 | SDM2012-52 | |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-52 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-52 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-06-21 - 2012-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 第一原理計算によるGe表面でのドーパント不純物偏析挙動の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface Segregation Behavior of B, Ga, Sb, and As Dopant Atoms on Ge(100) and Ge(111) Examined with a First-principles Method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge(100) / Ge(100) |
| キーワード(2)（和/英） | Ge(111) / Ge(111) |
| キーワード(3)（和/英） | 表面偏析 / surface segregation |
| キーワード(4)（和/英） | 第一原理計算 / first-principles method |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯島 郁弥 / Fumiya Iijima / イイジマ フミヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京都市大学 (略称： 東京都市大) Tokyo City University (略称： TCU) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤野 憲太郎 / Kentaro Sawano / |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京都市大学 (略称： 東京都市大) Tokyo City University (略称： TCU) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牛尾 二郎 / Jiro Ushio / ウシオ ジロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi Ltd. (略称： CRL) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丸泉 琢也 / Takuya Maruizumi / マルイズミ タクヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京都市大学 (略称： 東京都市大) Tokyo City University (略称： TCU) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白木 靖寛 / Yasuhiro Shiraki / |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京都市大学 (略称： 東京都市大) Tokyo City University (略称： TCU) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-06-21 13:35:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-52 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.92 |
| ページ範囲 | pp.47-51 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]