講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-06-21 14:15
金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係:第一原理計算による理論的検討 ○小日向恭祐・中山隆史(千葉大) SDM2012-54 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-54 |
抄録 |
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キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 92, SDM2012-54, pp. 59-62, 2012年6月. |
資料番号 |
SDM2012-54 |
発行日 |
2012-06-14 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2012-54 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-54 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2012-06-21 - 2012-06-21 |
開催地(和) |
名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) |
開催地(英) |
VBL, Nagoya Univ. |
テーマ(和) |
ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) |
テーマ(英) |
Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2012-06-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係:第一原理計算による理論的検討 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Relation between Schottky-barrier change and structural disorders at metal/(Si,Ge) interfaces: First-principles study |
サブタイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小日向 恭祐 / Kyosuke Kobinata / コビナタ キョウスケ |
第1著者 所属(和/英) |
千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中山 隆史 / Takashi Nakayama / ナカヤマ タカシ |
第2著者 所属(和/英) |
千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2012-06-21 14:15:00 |
発表時間 |
20分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2012-54 |
巻番号(vol) |
vol.112 |
号番号(no) |
no.92 |
ページ範囲 |
pp.59-62 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2012-06-14 (SDM) |
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