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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-06-21 09:20 貼り合せ直接接合SrTiO3(001)基板を用いた抵抗スイッチング特性評価 ○淺田遼太・Pham Phu Thanh Son・Kokate Nishad Vasant・吉川 純・竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗（阪大）  SDM2012-44 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-44 |
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| 抄録 | （和） | 新規不揮発性メモリの一つとして、金属/絶縁体/金属構造の抵抗変化型メモリが注目されている。我々はSrTiO3(001)基板を貼り合わせ直接接合することにより界面にらせん転位網が形成されることを確認し、それを伝導性パスとするAu/SrTiO3/Au構造における抵抗スイッチング挙動を確認した。 |
| （英） | As one of new non-volatile memory devices, much attention has been paid to the resistive switching memory which has a metal/insulator/metal structure. In this study, we successfully formed a screw dislocation network at twist boundary of directly bonded SrTiO3 (001) substrates and confirmed resistive switching phenomena in Au/SrTiO3/Au structure by using the screw dislocation network as a conductive path. | |
| キーワード | （和） | 抵抗スイッチング / 透過型電子顕微鏡 / SrTiO3 / ツイスト境界 / らせん転位 / / / |
| （英） | resistive switching / transmission electron microscopy / SrTiO3 / twist boundary / screw dislocation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 92, SDM2012-44, pp. 7-12, 2012年6月. | |
| 資料番号 | SDM2012-44 | |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-44 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-44 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-06-21 - 2012-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 貼り合せ直接接合SrTiO3(001)基板を用いた抵抗スイッチング特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Resistive Switching Properties of Directly Bonded SrTiO3 Substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗スイッチング / resistive switching |
| キーワード(2)（和/英） | 透過型電子顕微鏡 / transmission electron microscopy |
| キーワード(3)（和/英） | SrTiO3 / SrTiO3 |
| キーワード(4)（和/英） | ツイスト境界 / twist boundary |
| キーワード(5)（和/英） | らせん転位 / screw dislocation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 淺田 遼太 / Ryota Asada / アサダ リョウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Pham Phu Thanh Son / Pham Phu Thanh Son / |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Kokate Nishad Vasant / Kokate Nishad Vasant / |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉川 純 / Jun Kikkawa / |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 正太郎 / Shotaro Takeuchi / |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 芳明 / Yoshiaki Nakamura / |
| 第6著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 朗 / Akira Sakai / |
| 第7著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-06-21 09:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-44 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.92 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) |
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