講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-06-21 11:35
ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響 ○加藤公彦(名大/学振)・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明(名大) SDM2012-50 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-50 |
抄録 |
(和) |
本研究では,金属/Pr酸化膜/Geゲートスタック構造の化学結合状態にゲート金属が与える影響について,酸素化学ポテンシャル(μO)に基づいて詳細に評価した.還元性を有する金属膜形成はPr酸化膜を還元し,酸化膜中におけるPr3+割合が増大する.ゲート金属の還元性はPr酸化膜/Ge 界面構造にも影響を与え,Oと結合するGe(Ge酸化物もしくはPrGe 酸化物)密度の減少を引き起こす.これらのPr酸化膜およびGe酸化物の還元反応は,還元性金属の酸化物におけるμO が,PrO2形成およびGeO2形成に比べ低いことより説明できる.以上の結果より,還元性を有するゲート金属膜形成はh-Pr2O3形成やGe酸化物界面層減少に有効であり,極薄EOTの実現にはμOに基づいたゲート金属材料の選択も非常に重要であることが明らかになった. |
(英) |
We have investigated the impact of the gate metal on the chemical bonding state in the metal/Pr-oxide/Ge gate stack structure focusing on the oxygen chemical potential (μO). The reductive character of gate metal reduces the Pr-oxide film, increasing the ratio of the Pr3+ component in Pr-oxide film. The reductive character of metal also affects on the Pr-oxide/Ge interfacial structure. It leads to the decrease in the areal density of Ge bonding with O (Ge-oxide and/or PrGe-oxide). These reducing reactions can be explained by the low μO of metal with reductive character than that of PrO2 formation and GeO2 formation. These results suggest that the selection of gate metal in metal/Pr-oxide/Ge gate stack structure focusing on μO is quite important to achieve the thin EOT, attributing to both the formation of the h-Pr2O3 crystalline phase of Pr-oxide and the decrease in the amount of Ge oxides. |
キーワード |
(和) |
ゲルマニウム / プラセオジム酸化膜 / ゲート金属 / 還元反応 / 価数 / / / |
(英) |
germanium / praseodymium-oxide / gate metal / reduction reaction / valence state / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 92, SDM2012-50, pp. 37-42, 2012年6月. |
資料番号 |
SDM2012-50 |
発行日 |
2012-06-14 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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