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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-06-21 17:15 TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用 ○山本圭介・井餘田昌俊・王 冬・中島 寛（九大）  SDM2012-61 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-61 |
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| 抄録 | （和） | 金属/Ge界面ではフェルミレベルがGeの価電子帯近傍にピンニング（FLP）され、低障壁・低抵抗な金属/Geコンタクトの形成は困難と考えられてきた。我々は、TiNをGe上に直接スパッタ堆積する事で、FLPの位置が伝導帯近傍へ大幅に変調する現象を見出した。この現象にはTiN/Ge界面の微細構造が強く関与している。我々は、この現象を利用し、TiN/Geをソース/ドレインとしたショットキーn-MOSFETの試作に成功しており、これらの結果は将来的な超微細ショットキーGe CMOSへの展開が期待される。 |
| （英） | It has been recognized that the formation of a metal/Ge contact with low electron barrier height and low contact resistance is difficult because the Fermi level is pinned (FLP) near the valence band edge of Ge. We found that the TiN/Ge contact using direct sputter deposition showed the alleviation of FLP toward the conduction band edge. This phenomenon is strongly affected by the interfacial structure between TiN and Ge. Using this FLP alleviation, we fabricated a Schottky n-MOSFET with TiN/Ge contact as source/drain and successfully demonstrated the device operation. These results open a way for embodying the ultra-scaled Ge CMOS devices. | |
| キーワード | （和） | Ge / 金属/半導体コンタクト / フェルミレベルピンニング / ショットキーバリア / ショットキーMOSFET / / / |
| （英） | Ge / metal/semiconductor contact / Fermi level pinning / Schottky barrier / Schottky MOSFET / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 92, SDM2012-61, pp. 97-102, 2012年6月. | |
| 資料番号 | SDM2012-61 | |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-61 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-61 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-06-21 - 2012-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Alleviation of Fermi level pinning for TiN/Ge contact and its application to MOS device |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | 金属/半導体コンタクト / metal/semiconductor contact |
| キーワード(3)（和/英） | フェルミレベルピンニング / Fermi level pinning |
| キーワード(4)（和/英） | ショットキーバリア / Schottky barrier |
| キーワード(5)（和/英） | ショットキーMOSFET / Schottky MOSFET |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 圭介 / Keisuke Yamamoto / ヤマモト ケイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井餘田 昌俊 / Masatoshi Iyota / イヨタ マサトシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 王 冬 / Dong Wang / ワン ドン |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 寛 / Hiroshi Nakashima / ナカシマ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-06-21 17:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-61 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.92 |
| ページ範囲 | pp.97-102 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) |
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