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講演抄録/キーワード
講演名 2012-06-21 10:55
Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明
柴山茂久名大)・加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大SDM2012-48 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-48
抄録 (和) 高駆動力 Ge MOSFETの実現には,低界面準位密度(Dit)かつ低SiO2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構造を形成することが極めて重要である.現在,Al2O3/Ge構造に対するプラズマ酸素処理によって,極薄界面層においても低Ditを実現できると報告されている.しかしながら,Al2O3/Ge構造に対する酸素処理で,どのような構造が形成され,Ditの低減を可能としているかは明らかになっていない.本研究では, Al2O3/Ge構造に対してO2熱処理およびOラジカル処理を施し,それぞれの界面反応メカニズムの解明を試みた.Al2O3/Ge構造に対するO2熱処理では,外部からAl2O3/Ge界面への酸素供給はほとんどなく,GeはGe基板からAl2O3膜表面へ拡散した.その結果,Al2O3表面近傍において酸化が進行し,Al2O3/Ge界面で界面層の膜厚増加は,ほとんど起きなかった.一方,Al2O3/Ge構造に対するOラジカル処理では,Al2O3/Ge界面へのOの供給により,Al2O3/Ge界面付近でGeの酸化が進行した. 
(英) To realize a high performance Ge MOSFET, it is quite important to achieve simultaneously the low interface state density (Dit) and the low SiO2 equivalent oxide thickness in a high-k insulator/Ge structure. Currently, it is reported that the plasma oxygen process for the Al2O3/Ge structure realizes the low Dit despite the very thin interfacial layer. However, it has not been clarified the reaction mechanism in the oxidation process and the reduction mechanism of Dit at the Al2O3/Ge interface. In this study, the O2 thermal annealing and the O radical process for the Al2O3/Ge structure were performed. We found that, in the case of the O2 thermal annealing, oxygen hardly introduces into the Al2O3/Ge interface, while Ge diffuses from Ge substrate into an Al2O3 layer. In other words, Ge oxidation does not occur at the Al2O3/Ge interface but near the Al2O3 surface. On the other hand, in the O radical process for the Al2O3/Ge structure, O supply into the Al2O3/Ge interface occurs. Consequently, Ge oxidation reaction proceeds near the Al2O3/Ge interface.
キーワード (和) Al2O3/Ge / 熱処理 / 酸素ラジカル / 界面準位密度 / Ge拡散 / / /  
(英) Al2O3/Ge / Thermal annealing / O radical / Interface state density / Ge diffusion / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 92, SDM2012-48, pp. 27-32, 2012年6月.
資料番号 SDM2012-48 
発行日 2012-06-14 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード SDM2012-48 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-48

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2012-06-21 - 2012-06-21 
開催地(和) 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Clarification of Interfacial Reaction Mechanism in O2 Annealing or O radical Process for Al2O3/Ge Structure 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Al2O3/Ge / Al2O3/Ge  
キーワード(2)(和/英) 熱処理 / Thermal annealing  
キーワード(3)(和/英) 酸素ラジカル / O radical  
キーワード(4)(和/英) 界面準位密度 / Interface state density  
キーワード(5)(和/英) Ge拡散 / Ge diffusion  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴山 茂久 / Shigehisa Shibayama / シバヤマ シゲヒサ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大/学振)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / タオカ ノリユキ
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ
第7著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者
発表日時 2012-06-21 10:55:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2012-48 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.92 
ページ範囲 pp.27-32 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2012-06-14 


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