講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-05-24 16:15
フッ素化自己組織化単分子膜と正孔輸送層の界面における遷移領域形成 ○位田友哉(名大)・佐藤敏一(豊田中研)・森本拓也(名大)・西川尚男(岩手大)・森 竜雄(愛知工大/名大) OME2012-29 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2012-29 |
抄録 |
(和) |
我々はこれまでにフッ素化自己組織化単分子膜(FSAM)の導入により、素子の低電圧駆動や素子寿命の改善を報告してきた。これらのメカニズム検討において、FSAM上にジアミン誘導体を成膜した時に素子の静電容量が上昇することがわかった。ジアミン誘導体の膜厚依存性、紫外線光電子分光分析によってFSAM近傍の部分的なジアミン誘導体の誘電率が上昇することが示唆された。さらに、インピーダンス測定により高誘電率を有したジアミン誘導体の存在と通常の誘電率を有したジアミン誘導体の二領域の存在を明らかにした。 |
(英) |
We have already reported that the introduction of fluorinated self-assembled monolayer (FSAM) leads to reduce driving voltage and improve lifetime for organic light-emitting diodes (OLEDs). The capacitance of the OLED with FSAM was higher than that of the OLED without FSAM when we used (N,N’-bis(1-naphthyl)-N,N’-bis(phenyl)-benzidine)(α-NPD) on FSAM layer. The dielectric constant of the localized α-NPD layer near FSAM was found to increase by analyzing thickness dependence of α-NPD layer and ultra-violet photoelectron spectroscopy. We directly showed the existence of two regions, the region of high dielectric constant and the region of a normal dielectric constant in α-NPD layer on FSAM from the impedance measurement. |
キーワード |
(和) |
自己組織化単分子膜 / 静電容量 / 紫外線光電子分光 / インピーダンス測定 / 分極 / / / |
(英) |
Self-Assembled Monolayer / Capacitance / Ultra-Violet Photoelectron Spectroscopy / Impedance Measurement / Polarization / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 57, OME2012-29, pp. 49-52, 2012年5月. |
資料番号 |
OME2012-29 |
発行日 |
2012-05-17 (OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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