講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-05-24 15:45
ペンタセン中に電界効果ドーピングされたキャリアによるTHz波吸収 ○李 世光(千葉大/奈良先端大)・松末俊夫(千葉大)・吉岡勇多・松原亮介(奈良先端大)・酒井正俊・工藤一浩(千葉大)・中村雅一(奈良先端大) OME2012-27 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2012-27 |
抄録 |
(和) |
有機電界効果トランジスタ(OFET)の代表格であるペンタセンOFETのキャリア輸送バンドには、素子がオン状態において振幅0.5-10meV程度以下のランダムなバンド端ゆらぎが存在していることが確認されている。この振幅は、ちょうどTHzフォトンエネルギー(0.41-41 meV)に相当することから、OFETにおける蓄積キャリアがTHzフォトンからエネルギーを受けることができれば、OFETの出力電流がTHz波に応答して変化することが期待される。 本研究では、ペンタセンOFETのゲート電圧を変化させて、THz時間領域分光法(THz-TDS)によってTHz吸収スペクトルを測定した。その結果、ペンタセンOFET中のゲート電界誘起キャリアがTHzフォトンからエネルギーを受けとっていることが確認された。 |
(英) |
We found, in our previous work, that the HOMO-band edge of a pentacene thin film is randomly fluctuated due to the existence of crystallite boundaries. The local barrier height against carrier transportation is 0.5-10 meV, which corresponds well with the photon energy of THz wave (0.41-41 meV). It is therefore highly probable that the irradiation of THz wave enhances the carrier transport in OFETs with pentacene thin films. In this work, we measured the THz absorption spectrum by THz time-domain-spectroscopy modulated by the gate electric field. As a result, we confirmed that the accumulated holes in the pentacene films received energy from the THz photon. |
キーワード |
(和) |
テラヘルツ波 / 有機薄膜トランジスタ / ペンタセン / 吸収 / テラヘルツ時間領域分光法 / / / |
(英) |
THz-wave / Organic Thin-Film Transistor / Pentacene / Absorption / THz time-domain-spectroscopy / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 57, OME2012-27, pp. 41-44, 2012年5月. |
資料番号 |
OME2012-27 |
発行日 |
2012-05-17 (OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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