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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-05-18 09:00 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化 ○柏野壮志・平井 準・池田俊介・藤松基彦・宮本恭幸（東工大）  ED2012-26 CPM2012-10 SDM2012-28 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-26 CPM2012-10 SDM2012-28 |
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| 抄録 | （和） | 我々はヘテロ接合電子ランチャと真性半導体チャネルを有する縦型MISFETの研究を行っている。この構造により7 MA/cm^2の高電流密度を観測したことを報告しているが、出力コンダクタンスが大きく電圧利得は0.3に満たなかった。今回、出力コンダクタンスを低減するためゲート電極がチャネル全体を覆うよう半導体ドレイン層を設け、同時に23 nmの狭チャネルメサを実現した結果に関して報告する。出力コンダクタンスの最大値は2.6 S/mmから0.33 S/mmに低減され、これにより最大電圧利得は0.3から5.7に向上した。最小サブスレッショルドスロープは650 mV/decから134 mV/decに改善した。 |
| （英） | We fabricated a vertical metal-insulator-semiconductor feld-effect transistor (MISFET) with a heterostructure launcher and an undoped channel. While vertical MISFETs exhibit a high drain current density of 7 MA/cm^2 , their large go is a disadvantage for open circuit voltage gain which was limited upto 0.3. We fabricated a vertical MISFET for small go using heavily doped drain region and 23 nm-wide channel mesa structure. Heavily doped drain region is effective for small go by wrapping the whole channel region in gate electrode. Maximum go was decreased from 2.6 to 0.33 S/mm and maximum open circuit voltage gain was increased from 0.3 to 5.7. Minimal subthreshould slope was decreased from 650 mV/dec to 134 mV/dec. | |
| キーワード | （和） | 縦型MISFET / 半導体ドレイン層 / 狭チャネルメサ / 出力コンダクタンス / 電圧利得 / / / |
| （英） | Vertical MISFET / Heavily Doped Drain Region / Narrow Channel Mesa / Output Conductance / Open Circuit Voltage Gain / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 32, ED2012-26, pp. 43-48, 2012年5月. | |
| 資料番号 | ED2012-26 | |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-26 CPM2012-10 SDM2012-28 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-26 CPM2012-10 SDM2012-28 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM CPM |
| 開催期間 | 2012-05-17 - 2012-05-18 |
| 開催地（和） | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Toyohashi Univ. of Technol. |
| テーマ（和） | 結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-05-ED-SDM-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Open Circuit Voltage Gain in Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor Using Heavily Doped Drain Region and Narrow Channel Mesa |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 縦型MISFET / Vertical MISFET |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体ドレイン層 / Heavily Doped Drain Region |
| キーワード(3)（和/英） | 狭チャネルメサ / Narrow Channel Mesa |
| キーワード(4)（和/英） | 出力コンダクタンス / Output Conductance |
| キーワード(5)（和/英） | 電圧利得 / Open Circuit Voltage Gain |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柏野 壮志 / Masashi Kashiwano / カシワノ マサシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： TITech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平井 準 / Jun Hirai / ヒライ ジュン |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： TITech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 俊介 / Shunsuke Ikeda / イケダ シュンスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： TITech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤松 基彦 / Motohiko Fujimatsu / フジマツ モトヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： TITech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： TITech) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-05-18 09:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-26, CPM2012-10, SDM2012-28 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.32(ED), no.33(CPM), no.34(SDM) |
| ページ範囲 | pp.43-48 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) |
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