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講演抄録/キーワード
講演名 2012-05-18 14:15
柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価
竹内大智牧原克典名大)・池田弥央広島大)・宮崎誠一名大)・可貴裕和林 司日新電機ED2012-36 CPM2012-20 SDM2012-38 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-36 CPM2012-20 SDM2012-38
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文献情報 信学技報, vol. 112, no. 32, ED2012-36, pp. 95-98, 2012年5月.
資料番号 ED2012-36 
発行日 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 ED SDM CPM  
開催期間 2012-05-17 - 2012-05-18 
開催地(和) 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
開催地(英) VBL, Toyohashi Univ. of Technol. 
テーマ(和) 結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2012-05-ED-SDM-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterization of Local Electronic Transport and Electronic Emission Properties of Pillar-Shaped Si Nanostructures 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 大智 / Daichi Takeuchi / タケウチ ダイチ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 弥央 / Mitsuhisa Ikeda / イケダ ミツヒサ
第3著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 可貴 裕和 / Hirokazu Kaki / カキ ヒロカズ
第5著者 所属(和/英) 日新電機株式会社 (略称: 日新電機)
NISSIN ELECTRIC Co. Ltd. (略称: NISSIN ELECTRIC Co. Ltd.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 司 / Tsukasa Hayashi / ハヤシ ツカサ
第6著者 所属(和/英) 日新電機株式会社 (略称: 日新電機)
NISSIN ELECTRIC Co. Ltd. (略称: NISSIN ELECTRIC Co. Ltd.)
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講演者
発表日時 2012-05-18 14:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2012-36,IEICE-CPM2012-20,IEICE-SDM2012-38 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.32(ED), no.33(CPM), no.34(SDM) 
ページ範囲 pp.95-98 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2012-05-10,IEICE-CPM-2012-05-10,IEICE-SDM-2012-05-10 


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