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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-05-18 13:00 第一原理計算によりもとめたCdS/Cu2ZnSnS4ヘテロ接合界面バンドオフセットの結晶構造と面方位依存性 ○ホウ ウジスグリム・市村正也（名工大）  ED2012-33 CPM2012-17 SDM2012-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-33 CPM2012-17 SDM2012-35 |
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| 抄録 | （和） | Cu2ZnSnS4(CZTS)はヘテロ接合太陽電池の光吸収層材料として注目されている物質である。本研究では、第一原理計算によってCdS/CZTSヘテロ接合界面のエネルギバンドオフセット(不連続値)を計算した。CZTSが ケステライト構造をとるとき、CdS(001)/CZTS(001)ヘテロ構造では価電子帯不連続値ΔEv=1.2eVが得られ、CdS(010)/CZTS(010)構造ではΔEv=1.0eVが得られた。CZTSの伝導帯端はCdSの伝導帯端より上である。CZTSがスタナイト構造をとるときCdS(001)/CZTS(001)構造ではΔEv=1.1 eVであった。 |
| （英） | Cu2ZnSnS4 (CZTS) has attracted much attention recently as an absorber layer material in a heterojunction solar cell. Using the first-principles method, we calculated the band offset for the CdS/Cu2ZnSnS4 heterojunction. When Cu2ZnSnS4 is considered to crystallize in the kesterite structure, the valence band offset ΔEv=1.2 eV for the CdS(001)/Cu2ZnSnS4(001) supercell, and ΔEv=1.0 eV for the CdS(010)/Cu2ZnSnS4(010) supercell. When Cu2ZnSnS4 is considered to crystallize in stanite structure, ΔEv=1.1 eV for the CdS(001)/Cu2ZnSnS4(001) supercell. | |
| キーワード | （和） | Cu2ZnSnS4 / バンドオフセット / ヘテロ界面 / 結晶構造 / 面方位 / / / |
| （英） | Cu2ZnSnS4 / band offset / heterointerface / crystal structure / orientation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 33, CPM2012-17, pp. 79-83, 2012年5月. | |
| 資料番号 | CPM2012-17 | |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-33 CPM2012-17 SDM2012-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-33 CPM2012-17 SDM2012-35 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM CPM |
| 開催期間 | 2012-05-17 - 2012-05-18 |
| 開催地（和） | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Toyohashi Univ. of Technol. |
| テーマ（和） | 結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2012-05-ED-SDM-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 第一原理計算によりもとめたCdS/Cu2ZnSnS4ヘテロ接合界面バンドオフセットの結晶構造と面方位依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influences of Crystal Structure and Orientation on Band Offsets at the CdS/Cu2ZnSnS4 Interface by First Principles Study |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu2ZnSnS4 / Cu2ZnSnS4 |
| キーワード(2)（和/英） | バンドオフセット / band offset |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ界面 / heterointerface |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶構造 / crystal structure |
| キーワード(5)（和/英） | 面方位 / orientation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | ホウ ウジスグリム / Wujisiguleng Bao / ホウ ウジスグリム |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-05-18 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2012-33, CPM2012-17, SDM2012-35 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.32(ED), no.33(CPM), no.34(SDM) |
| ページ範囲 | pp.79-83 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) |
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