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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-05-17 14:05 Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価 ○伊藤宏成・熊谷啓助・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大）  ED2012-19 CPM2012-3 SDM2012-21 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-19 CPM2012-3 SDM2012-21 |
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| 抄録 | （和） | 格子整合III-V-N/Si構造において、AlGaPN混晶は、発光素子のクラッド層材料として期待できる。そこで、SおよびMgを不純物材料として、n型およびp型AlGaPNを作製し、Hall効果測定により電気的特性の評価を行った。n型AlGaPNでは、N組成の増加に伴う電子濃度の減少量が、GaPNよりも少ない結果が得られた。これはNの供給量が少ないことにより、不活性化の原因であるS-N結合が形成されにくくなったためであると考えられる。p型 AlGaPN では、正孔移動度の温度依存性より合金散乱が支配的となった。また、活性化エネルギーは、GaPNと同程度であった。 |
| （英） | AlGaPN alloys are expected as a cladding layer for Si based monolithic laser structure in optoelectronic integrated circuit. Electrical properties of AlGaPN alloys grown by solid source molecular beam epitaxy have been investigated by Hall effect measurement. In n-type AlGaPN, the decrease of electron concentration with increasing N composition is improved as compared with n-type GaPN. In p-type AlGaPN, the alloy scattering is dominant near the room temperature, and activation energy of the acceptor is the same level in p-type GaPN. | |
| キーワード | （和） | 光電子集積回路 / III-V-N混晶 / AlGaPN / ドーピング / / / / |
| （英） | OEIC / III-V-N alloy / AlGaPN / doping / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 32, ED2012-19, pp. 11-14, 2012年5月. | |
| 資料番号 | ED2012-19 | |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-19 CPM2012-3 SDM2012-21 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-19 CPM2012-3 SDM2012-21 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM CPM |
| 開催期間 | 2012-05-17 - 2012-05-18 |
| 開催地（和） | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Toyohashi Univ. of Technol. |
| テーマ（和） | 結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-05-ED-SDM-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical properties of n- and p-type AlGaPN for dislocation-free light-emitting devices on Si substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光電子集積回路 / OEIC |
| キーワード(2)（和/英） | III-V-N混晶 / III-V-N alloy |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaPN / AlGaPN |
| キーワード(4)（和/英） | ドーピング / doping |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 宏成 / Hironari Ito / イトウ ヒロナリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 熊谷 啓助 / Keisuke Kumagai / クマガイ ケイスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関口 寛人 / Hiroto Sekiguchi / セキグチ ヒロト |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-05-17 14:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-19, CPM2012-3, SDM2012-21 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.32(ED), no.33(CPM), no.34(SDM) |
| ページ範囲 | pp.11-14 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) |
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