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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-05-17 14:55 MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性 高木達也・華 俊辰・宮原 亮・○高野 泰（静岡大）  ED2012-21 CPM2012-5 SDM2012-23 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-21 CPM2012-5 SDM2012-23 |
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| 抄録 | （和） | 有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に4°オフ基板を使用した。成長温度を770-830℃とし、Ga原料(トリメチルガリウム)供給量を変えることによりGaPの成長速度を変化させた。膜厚100nm程度成長させ、得られたGaP層を原子間力顕微鏡観察及び透過電子顕微鏡観察した。770℃でトリメチルガリウムの供給量が最大の時以外層状のGaPが得られた。いずれの温度においても成長速度が低くなるにつれ、アンチフェーズドメイン(APD)は小さくなるがその密度は増加した。成長速度が低くなるにつれAPDの直上にGaPが成長しにくいことが解った。成長温度が低くなり成長速度が低くなるとファセット面がでやすくなることも解った。830℃で最適成長速度で100nm成長後APDは完全に埋め込まれていた。 |
| （英） | GaP layers were grown on 2° and 4° misoriented Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy. GaP was deposited at 770–830°C with various trimethygallium (TMG) flow rates. Nominal growth thickness was 50–100 nm for each GaP structure. The structures were characterized using atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). GaP layers were obtained excepted at 770°C with TMG flow rate of 110 ccm (cc per miniute). Plan view TEM showed that antiphase domain (APD) became small with decreasing TMG flow rate. The density of APD increased with decreasing TMG flow rate. AFM shows many pits in the surface of the layers grown at the low TMG flow rate of 30 ccm. Lateral overgrowth over the APDs is suppressed for the low TMG flow rate. All APDs were embedded in the layers grown at 830°C with the TMG flow rate of 54, 110 or 150 ccm. | |
| キーワード | （和） | 有機金属気相成長法 / ガリウムリン / Si基板 / アンチフェーズドメイン / 透過電子顕微鏡 / / / |
| （英） | metalorganic vapor phase epitaxy / GaP / Si substrate / antiphase domain / TEM / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 33, CPM2012-5, pp. 19-23, 2012年5月. | |
| 資料番号 | CPM2012-5 | |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-21 CPM2012-5 SDM2012-23 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-21 CPM2012-5 SDM2012-23 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM CPM |
| 開催期間 | 2012-05-17 - 2012-05-18 |
| 開催地（和） | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Toyohashi Univ. of Technol. |
| テーマ（和） | 結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2012-05-ED-SDM-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth-rate dependence of GaP structure grown Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機金属気相成長法 / metalorganic vapor phase epitaxy |
| キーワード(2)（和/英） | ガリウムリン / GaP |
| キーワード(3)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(4)（和/英） | アンチフェーズドメイン / antiphase domain |
| キーワード(5)（和/英） | 透過電子顕微鏡 / TEM |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 達也 / Tatsuya Takagi / タカギ タツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 華 俊辰 / Shunshin Ka / カ シュンシン |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮原 亮 / Ryo Miyahara / |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高野 泰 / Yasushi Takano / |
| 第4著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
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| 講演者 | 第4著者 |
| 発表日時 | 2012-05-17 14:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2012-21, CPM2012-5, SDM2012-23 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.32(ED), no.33(CPM), no.34(SDM) |
| ページ範囲 | pp.19-23 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) |
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