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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-04-28 11:10 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 ～ 界面酸化膜厚依存性 ～ ○鈴木恒晴・パク ジョンヒョク・黒澤昌志・宮尾正信・佐道泰造（九大）  SDM2012-16 OME2012-16 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-16 OME2012-16 |
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| 抄録 | （和） | フレキシブルな高速薄膜トランジスタの実現には，高キャリヤ移動度を有する半導体(Ge)薄膜をプラスチィックなどの絶縁基板上に高品位形成する必要がある．そこで本論文では，絶縁基板上における結晶方位制御された大粒径Ge薄膜の低温成長 (≦350oC) を目指し，非晶質Ge/Au/絶縁膜の積層構造を用いたAu誘起層交換成長における界面酸化膜の挿入効果を検討した．その結果，界面酸化膜(膜厚: ~3 nm)の挿入により，(111)配向した大粒径(20~50 μm) Ge結晶を実現した．この現象は，界面酸化膜挿入によりGe/Auの相互拡散が抑制されたため，Au膜中でのランダムなバルク核発生が低減し，絶縁膜表面におけるGe(111)核の発生が支配的になったことに起因すると考えられる． |
| （英） | A technique for low-temperature (< ~350oC) formation of orientation-controlled large-grain Ge films on insulating layers is desirable for realization of flexible high-speed thin film transistors. In line with this, we have investigated Au-induced layer-exchange crystallization using a-Ge/Au/insulator stacked structures where Al2O3 layers were inserted at a-Ge/Au interfaces. Consequently, (111)-oriented large-grain (20-50 μm) films are obtained by inserting the interfacial layers (~3 μm). These phenomena are explained based on the retardation of random bulk nucleation in Au films and thus domination of(111)-oriented nucleation on insulators, caused by suppression of Ge/Au interdiffusion. | |
| キーワード | （和） | 金属誘起層交換成長 / 界面酸化膜 / 方位制御成長 / / / / / |
| （英） | Metal-Induced Layer Exchange Crystallization / Interfacial Oxide layer / Orientation Control / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 18, SDM2012-16, pp. 71-73, 2012年4月. | |
| 資料番号 | SDM2012-16 | |
| 発行日 | 2012-04-20 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-16 OME2012-16 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-16 OME2012-16 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2012-04-27 - 2012-04-28 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 |
| サブタイトル（和） | 界面酸化膜厚依存性 |
| タイトル（英） | Orientation-Controlled Large-Grain Ge on Insulator by Au-Induced Layer Exchange Crystallization with Interfacial Oxide Layer |
| サブタイトル（英） | * |
| キーワード(1)（和/英） | 金属誘起層交換成長 / Metal-Induced Layer Exchange Crystallization |
| キーワード(2)（和/英） | 界面酸化膜 / Interfacial Oxide layer |
| キーワード(3)（和/英） | 方位制御成長 / Orientation Control |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 恒晴 / Tsuneharu Suzuki / スズキ ツネハル |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | パク ジョンヒョク / Jong-Hyeok Park / パク ジョンヒョク |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒澤 昌志 / Masashi Kurosawa / クロサワ マサシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮尾 正信 / Masanobu Miyao / ミヤオ マサノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh / サドウ タイゾウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-04-28 11:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-16, OME2012-16 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.18(SDM), no.19(OME) |
| ページ範囲 | pp.71-73 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2012-04-20 (SDM, OME) |
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