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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-04-28 11:50 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ成膜したリンドープシリコン膜の結晶化 ○西ノ原拓磨・ジャン デデュウ ムジラネザ・白井克弥・鈴木俊治・岡田竜弥・野口 隆（琉球大）・大鉢 忠（同志社大）・松島英紀・橋本隆夫・荻野義明・佐保田英司（日立コンピュータ機器）  SDM2012-18 OME2012-18 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-18 OME2012-18 |
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| 抄録 | （和） | スパッタ条件を工夫して室温で成膜したリンドープシリコン膜に対して, 青色半導体レーザアニーリング（BLDA）による熱処理を施したところ、試料の結晶性が大きく向上し、シート抵抗値が著しく減少することが確認された。実験で得られたシート抵抗の値を用いてデバイスシミュレーションを行った結果、約2m以下の短いチャネル長でTFT特性の著しい向上が見られた。BLDAは低温化プロセスとしてTFTの高性能化に非常に有効であり、期待される。 |
| （英） | After performing BLDA for phosphorus-doped Si films deposited by sputtering using Ne gas, the crystallinity of the films improved and sheet resistance decreased drastically. By applying the values of sheet resistance to source and drain region into the device simulation, remarkable improvement of TFT characteristics were seen for the TFTs of short channel length. | |
| キーワード | （和） | スパッタ / シリコン / 青色半導体レーザアニーリング / TFT / / / / |
| （英） | sputtering / Si / BLDA / TFT / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 18, SDM2012-18, pp. 79-82, 2012年4月. | |
| 資料番号 | SDM2012-18 | |
| 発行日 | 2012-04-20 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-18 OME2012-18 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-18 OME2012-18 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2012-04-27 - 2012-04-28 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ成膜したリンドープシリコン膜の結晶化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystallization of the Sputtered P-doped Si Films for High Performance Poly-Si TFT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | スパッタ / sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン / Si |
| キーワード(3)（和/英） | 青色半導体レーザアニーリング / BLDA |
| キーワード(4)（和/英） | TFT / TFT |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西ノ原 拓磨 / Takuma Nishinohara / ニシノハラ タクマ |
| 第1著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ. of the Ryukyus) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | ジャン デデュウ ムジラネザ / J. D. Mugiraneza / ジャン デデュウ ムジラネザ |
| 第2著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ. of the Ryukyus) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白井 克弥 / Katsuya Shirai / シライ カツヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ. of the Ryukyus) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 俊治 / Toshiharu Suzuki / スズキ トシハル |
| 第4著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ. of the Ryukyus) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 竜弥 / Tatsuya Okada / オカダ タツヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ. of the Ryukyus) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 隆 / Takashi Noguchi / ノグチ タカシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ. of the Ryukyus) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大鉢 忠 / Tadashi Ohachi / オオハチ タダシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 同志社大学 (略称： 同志社大) Doshisha University (略称： Doshisha Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松島 英紀 / Hideki Matsushima / マツシマ ヒデキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 日立コンピュータ機器 (略称： 日立コンピュータ機器) Hitachi Computer Peripherals (略称： Hitachi CP) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 隆夫 / Takao Hashimoto / ハシモト タカオ |
| 第9著者 所属（和/英） | 日立コンピュータ機器 (略称： 日立コンピュータ機器) Hitachi Computer Peripherals (略称： Hitachi CP) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荻野 義明 / Yoshiaki Ogino / オギノ ヨシアキ |
| 第10著者 所属（和/英） | 日立コンピュータ機器 (略称： 日立コンピュータ機器) Hitachi Computer Peripherals (略称： Hitachi CP) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐保田 英司 / Eiji Sahota / サホタ エイジ |
| 第11著者 所属（和/英） | 日立コンピュータ機器 (略称： 日立コンピュータ機器) Hitachi Computer Peripherals (略称： Hitachi CP) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-04-28 11:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-18, OME2012-18 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.18(SDM), no.19(OME) |
| ページ範囲 | pp.79-82 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-04-20 (SDM, OME) |
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