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| 講演名 | 2012-04-27 15:10 ［招待講演］連続発振レーザ横方向結晶化法によるガラス基板上SiとSiGe薄膜の成長 ○北原邦紀（島根大）・原 明人（東北学院大）  SDM2012-5 OME2012-5 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-5 OME2012-5 |
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| 抄録 | （和） | 連続発振レーザ横方向結晶化（CLC）法によりガラス基板上にSiおよびSiGe薄膜のフロー状成長を実現した．CLCは薄膜トランジスタ（TFT）中のチャネル電流に対する粒界の効果を低減させるのに有効である．また，結晶粒中の欠陥低減にも有効である．しかし，低指数面を均一に形成するのは必ずしも容易でない．SiにGeを混合すると形状がフロー状から超横方向成長へと変化し，その結果擬似単結晶が形成される．この結果は，合金固有の組成的過冷却により説明できる．Geの偏析，結晶境界の配置，TFT特性に対する評価結果を示す． |
| （英） | Flow-shaped growth of Si and SiGe thin films on glass substrate was achieved by continuous wave laser lateral crystallization (CLC) technique. CLC is useful to decrease the degradation effects of grain boundaries on channel current in thin film transistors (TFT) and is also effective to decrease defects in grains. However, the control to form low and uniform index surface is not always easy. Compounding of Ge to Si changes the geometry from flow-shaped growth to super-lateral growth resulting in formation of quasi-single crystal. This result was attributed to the constitutional undercooling that is peculiar to alloys. Characterization on segregation of Ge, geometry of crystalline boundaries, and TFT characteristics was shown. | |
| キーワード | （和） | シリコン / ゲルマニュウム / 薄膜 / レーザ結晶化 / グレイン / 移動度 / / |
| （英） | silicon / germanium / thin film / laser crystallization / grain / mobility / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 18, SDM2012-5, pp. 21-26, 2012年4月. | |
| 資料番号 | SDM2012-5 | |
| 発行日 | 2012-04-20 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-5 OME2012-5 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-5 OME2012-5 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2012-04-27 - 2012-04-28 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 連続発振レーザ横方向結晶化法によるガラス基板上SiとSiGe薄膜の成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of Silicon and Silicon-Germanium Thin Films on Glass Substrates by Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニュウム / germanium |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(4)（和/英） | レーザ結晶化 / laser crystallization |
| キーワード(5)（和/英） | グレイン / grain |
| キーワード(6)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北原 邦紀 / Kuninori Kitahara / キタハラ クニノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 島根大学 (略称： 島根大) Shimane University (略称： Shimane Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 明人 / Akito Hara / ハラ アキト |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-04-27 15:10:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-5, OME2012-5 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.18(SDM), no.19(OME) |
| ページ範囲 | pp.21-26 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-04-20 (SDM, OME) |
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