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| 講演名 | 2012-04-24 16:05 SRAMセルを用いたLow書込みによるチップID生成手法 ○奥村俊介・吉本秀輔・川口 博（神戸大）・吉本雅彦（神戸大/JST）  ICD2012-18 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2012-18 |
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| 抄録 | （和） | 本稿ではSRAMセル内におけるしきい値電圧のばらつきを利用したチップID生成手法を提案する．提案手法は両ビット線をLowとした状態での書込みによってチップIDを生成する．生成されるIDはロードトランジスタのしきい値電圧差によってメモリセル固有の値を記録する．また，従来の電源昇圧によるチップID手法と比較し，メモリセル電源線の放電量を削減したことからID生成時の消費電力を42.6%削減した．65nmプロセスで試作を行い384セットの128ビットチップIDを取得した．実測結果から，提案手法による128bitのIDを用いて誤認識率4.45×10-19が実現可能であることを確認した．また，提案回路による面積オーバーヘッドは1.63%となる． |
| （英） | We propose a chip identification (ID) generating scheme with random variation of transistor characteristics in SRAM bitcells. In the proposed scheme, a unique fingerprint is generated by grounding both bitlines in write operation. The generated fingerprint mainly reflects threshold voltages of load transistors in the bitcells. We fabricated test chips in a 65-nm process and obtained 384 sets of unique 128-bit fingerprints from 12 chips, which were evaluated in this paper. The fail rate of the ID was found to be 4.45 × 10-19 at a nominal supply voltage of 1.2 V and at room temperature. This scheme can be implemented for existing SRAMs through minor modifications. It has high speed, and is implemented in a very small area overhead. | |
| キーワード | （和） | SRAM / チップID / PUF / / / / / |
| （英） | SRAM / Chip ID / PUF / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 15, ICD2012-18, pp. 97-102, 2012年4月. | |
| 資料番号 | ICD2012-18 | |
| 発行日 | 2012-04-16 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2012-18 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2012-18 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2012-04-23 - 2012-04-24 |
| 開催地（和） | つなぎ温泉清温荘（岩手県） |
| 開催地（英） | Seion-so, Tsunagi Hot Spring (Iwate) |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2012-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SRAMセルを用いたLow書込みによるチップID生成手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 128-bit Chip Identification Generating Scheme Exploiting SRAM Bitcells with Failure Rate of 4.45X 10-19 |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | チップID / Chip ID |
| キーワード(3)（和/英） | PUF / PUF |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥村 俊介 / Shunsuke Okumura / オクムラ シュンスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉本 秀輔 / Shusuke Yoshimoto / ヨシモト シュウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川口 博 / Hiroshi Kawaguchi / カワグ チヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉本 雅彦 / Masahiko Yoshimoto / ヨシモト マサヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 神戸大学/独立行政法人科学技術振興機構 (略称： 神戸大/JST) Kobe University, JST CREST (略称： Kobe Univ., JST CREST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-04-24 16:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2012-18 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.15 |
| ページ範囲 | pp.97-102 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-04-16 (ICD) |
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