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講演抄録/キーワード
講演名 2012-04-24 10:25
[依頼講演]MTJベース完全並列形不揮発TCAMの設計
松永翔雲羽生貴弘東北大ICD2012-9 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2012-9
抄録 (和) 高速な並列パターンマッチング処理を実現する専用ハードウェアであるTernary Content-Addressable Memory (TCAM) では,その大容量化と低エネルギー化が要求されている.本稿では,MOSトランジスタと Magnetic Tunnel Junction (MTJ) 素子を用いて不揮発記憶機能と演算機能がコンパクトに一体化された6T-2MTJ構造の完全並列形不揮発TCAMセル回路,ならびにセンスアンプを内部に組み込んだ高速動作可能9T-2MTJ構造の完全並列形不揮発TCAMセル回路を提案する.これらのセル回路とマッチライン分割に基づく動的消費電力の削減手法により,検索動作時の消費エネルギーを大幅に低減できることを示す.さらに,これらのセル回路は不揮発記憶機能を有しているため,待機時の静的消費エネルギーを完全にカットできる. 
(英) Ternary content-addressable memories (TCAMs) are specific hardware accelerators which can realize high-speed fully-parallel pattern matching. In the TCAMs, higher density and lower energy consumption have been required. In this paper, we propose a compact 6-transistor/2-magnetic-tunnel-junction (6T-2MTJ)-based fully-parallel nonvolatile TCAM cell circuit where nonvolatile storage function and logic function are compactly merged, and 9T-2MTJ-based high-speed TCAM cell circuit where a sense amplifier is embedded to increase driving capability of the cell circuit. By using these cell circuits in combination with match-line segmentation scheme, active energy consumption can be greatly reduced. Moreover, standby energy consumption can be cut off due to their nonvolatility.
キーワード (和) 不揮発 / 高密度 / 完全並列 / 連想メモリ / / / /  
(英) Nonvolatile / high-density / fully parallel / ternary content-addressable memory / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 15, ICD2012-9, pp. 43-48, 2012年4月.
資料番号 ICD2012-9 
発行日 2012-04-16 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2012-9 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2012-9

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2012-04-23 - 2012-04-24 
開催地(和) つなぎ温泉清温荘(岩手県) 
開催地(英) Seion-so, Tsunagi Hot Spring (Iwate) 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2012-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) [依頼講演]MTJベース完全並列形不揮発TCAMの設計 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Design of an MTJ-Based Fully Parallel Nonvolatile TCAM 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 不揮発 / Nonvolatile  
キーワード(2)(和/英) 高密度 / high-density  
キーワード(3)(和/英) 完全並列 / fully parallel  
キーワード(4)(和/英) 連想メモリ / ternary content-addressable memory  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松永 翔雲 / Shoun Matsunaga / マツナガ ショウウン
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 羽生 貴弘 / Takahiro Hanyu / ハニュウ タカヒロ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-04-24 10:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2012-9 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.15 
ページ範囲 pp.43-48 
ページ数
発行日 2012-04-16 (ICD) 


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