講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-04-24 11:15
[招待講演]8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路 ○石井雄一郎・塚本康正・新居浩二・藤原英弘・薮内 誠・田中浩司・田中信二・島崎靖久(ルネサス エレクトロニクス) ICD2012-11 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2012-11 |
抄録 |
(和) |
8T デュアルポートSRAMセルのライト/リードディスターブ問題について,ディスターブ不良ビットのスクリーニング回路およびディスターブ状態でのライト・リードの動作下限電圧を改善する対策回路について述べる. |
(英) |
This paper describes some circuit techniques for an 8T dual-port (DP) SRAM to improve its minimum operating voltage against write-/read-disturb issues and a new test screening circuit with synchronous clock to detect the worst Vmin in asynchronous clock operation. |
キーワード |
(和) |
デュアルポート / エンベデッドSRAM / 8T / 28nm / ライトディスターブ / リードディスターブ / / |
(英) |
dual-port / Embedded SRAM / 8T / 28nm / write disturb / read disturb / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 15, ICD2012-11, pp. 55-60, 2012年4月. |
資料番号 |
ICD2012-11 |
発行日 |
2012-04-16 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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