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講演抄録/キーワード
講演名 2012-04-24 13:50
[依頼講演]ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM
森脇真一川澄 篤半導体理工学研究センター)・鈴木利一パナソニック)・山本安衛宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2012-13
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文献情報 信学技報, vol. 112, no. 15, ICD2012-13, pp. 67-71, 2012年4月.
資料番号 ICD2012-13 
発行日 2012-04-16 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2012-04-23 - 2012-04-24 
開催地(和) つなぎ温泉清温荘(岩手県) 
開催地(英) Seion-so, Tsunagi Hot Spring (Iwate) 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2012-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) [依頼講演]ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 0.4V SRAM with Bit Line Swing Suppression Charge Share Hierarchical Bit Line Scheme 
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 森脇 真一 / Shinichi Moriwaki / モリワキ シンイチ
第1著者 所属(和/英) 株式会社半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 川澄 篤 / Atsushi Kawasumi / カワスミ アツシ
第2著者 所属(和/英) 株式会社半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 利一 / Toshikazu Suzuki / スズキ トシカズ
第3著者 所属(和/英) パナソニック株式会社 (略称: パナソニック)
Panasonic Corporation (略称: Panasonic)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 安衛 / Yasue Yamamoto / ヤマモト ヤスエ
第4著者 所属(和/英) 株式会社半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮野 信治 / Shinji Miyano / ミヤノ シンジ
第5著者 所属(和/英) 株式会社半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠原 尋史 / Hirofumi Shinohara / シノハラ フミヒロ
第6著者 所属(和/英) 株式会社半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 桜井 貴康 / Takayasu Sakurai / サクライ タカヤス
第7著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2012-04-24 13:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2012-13 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.15 
ページ範囲 pp.67-71 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ICD-2012-04-16 


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