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講演抄録/キーワード
講演名 2012-04-23 13:20
[招待講演]18MB/sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発
亀井輝彦Yan LiSeungpil Lee大和田 健Hao NguyenQui NguyenNima MokhlesiCynthia HsuJason LiVenky Ramachandra東谷政昭Tuan Pham渡邉光恭サンディスク)・本間充祥渡辺慶久東芝エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2012-2
抄録 (和) 19nm製造プロセスを用い、シングルチップとしては最大容量となる128Gb 3-bit/cell NAND型フラッシュメモリを開発した。NAND型フラッシュメモリとしては最大のGb/mm2である、チップサイズ170mm2を実現した。3-bit per cellでありながら、All Bit-Line (ABL)アーキテクチャ、Air Gap技術、400Mbps トグルモードI/Oインターフェースの採用により、標準BCH ECCにおいても18MB/sの書き込みスループットを実現した。 
(英) A 128Gb 8-level NAND flash memory using 19nm CMOS technology has been developed. 128Gb is the largest single-chip capacity NAND memory. At 170mm2 die size, this development achieves the highest Gb/mm2 in NAND flash memory. In addition to All Bit-Line (ABL) programming and sensing, Air Gap technology and a Toggle Mode 400Mbps I/O interface, along with improvements in sensing accuracy, enable this 3-bit per cell (X3) design to achieve a write throughput of 18MB/s using standard BCH ECC.
キーワード (和) NAND Flash Memory / 3bit/cell / MLC / 19nm CMOS / / / /  
(英) NAND Flash Memory / 3bit/cell / MLC / 19nm CMOS / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 15, ICD2012-2, pp. 7-12, 2012年4月.
資料番号 ICD2012-2 
発行日 2012-04-16 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2012-04-23 - 2012-04-24 
開催地(和) つなぎ温泉清温荘(岩手県) 
開催地(英) Seion-so, Tsunagi Hot Spring (Iwate) 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2012-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 18MB/sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 128Gb 3-Bit Per Cell NAND Flash Memory on 19nm Technology with 18MB/s Write Rate 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) NAND Flash Memory / NAND Flash Memory  
キーワード(2)(和/英) 3bit/cell / 3bit/cell  
キーワード(3)(和/英) MLC / MLC  
キーワード(4)(和/英) 19nm CMOS / 19nm CMOS  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 亀井 輝彦 / Teruhiko Kamei / カメイ テルヒコ
第1著者 所属(和/英) サンディスク株式会社 (略称: サンディスク)
SanDisk Limited (略称: SanDisk)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Yan Li / Yan Li / Yan Li
第2著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation (略称: SanDisk)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Seungpil Lee / Seungpil Lee / Seungpil Lee
第3著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation (略称: SanDisk)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大和田 健 / Ken Oowada / オオワダ ケン
第4著者 所属(和/英) サンディスク株式会社 (略称: サンディスク)
SanDisk Limited (略称: SanDisk)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) Hao Nguyen / Hao Nguyen / Hao Nguyen
第5著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation (略称: SanDisk)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) Qui Nguyen / Qui Nguyen / Qui Nguyen
第6著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation (略称: SanDisk)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) Nima Mokhlesi / Nima Mokhlesi / Nima Mokhlesi
第7著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation (略称: SanDisk)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) Cynthia Hsu / Cynthia Hsu / Cynthia Hsu
第8著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation (略称: SanDisk)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) Jason Li / Jason Li / Jason Li
第9著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation (略称: SanDisk)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) Venky Ramachandra / Venky Ramachandra / Venky Ramachandra
第10著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation (略称: SanDisk)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 東谷 政昭 / Masaaki Higashitani / ヒガシタニ マサアキ
第11著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation (略称: SanDisk)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) Tuan Pham / Tuan Pham / Tuan Pham
第12著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation (略称: SanDisk)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡邉 光恭 / Mitsuyuki Watanabe / ワタナベ ミツユキ
第13著者 所属(和/英) サンディスク株式会社 (略称: サンディスク)
SanDisk Limited (略称: SanDisk)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 本間 充祥 / Mitsuaki Honma / ホンマ ミツアキ
第14著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 慶久 / Yoshihisa Watanabe / ワタナベ ヨシヒサ
第15著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
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第17著者 所属(和/英) (略称: )
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
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講演者
発表日時 2012-04-23 13:20:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2012-2 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.15 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2012-04-16 


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