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講演抄録/キーワード
講演名 2012-04-23 12:30
[招待講演]19nm 64Gbit多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリの開発
柴田 昇神田和重久田俊記磯部克明佐藤 学清水有威清水孝洋杉本貴宏小林智浩犬塚和子金川直晃梶谷泰之小川武志中井 潤東芝)・亀井輝彦サンディスクエレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2012-1
抄録 (和) 世界最小の19nmのデザインルールを用いて64Gb多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリーを開発した。片側 ABL S/A構成及び1plane構成によりチップサイズは112.8mm2。ビット線バイアス アクセラレーション及び“BC”State-First 書込みアルゴリズムにより、書き込みパフォーマンスは15MB/sを実現。プログラムサスペンド機能とイレーズサスペンド機能により、リードレイテンシー時間は大幅に短縮。400MT/s/p 1.8Vの高速Toggle mode InterfaceをNANDフラッシュメモリーとしては初めて搭載した。 
(英) A 64Gb MLC NAND flash memory on 19nm CMOS technology has been developed. By adopting One-Sided All-Bit-Line architecture and Single-Array configuration, 112.8mm2 die size is realized. 15MB/s program throughput with high reliability 2bits/cell is achieved using Bit-Line Bias Acceleration (BLBA) and “BC”-States-First program algorithm. Program-Suspend and Erase-Suspend functions are introduced to reduce read latency. This device also supports 400MT/s 1.8V high speed Toggle Mode interface.
キーワード (和) NANDフラッシュメモリー / 19nmCMOS技術 / MLC(2bit/cell) / トグルモード / / / /  
(英) NAND flash memory / 19nm CMOS technology / MLC(2bit/cell) / Toggle Mode / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 15, ICD2012-1, pp. 1-5, 2012年4月.
資料番号 ICD2012-1 
発行日 2012-04-16 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2012-04-23 - 2012-04-24 
開催地(和) つなぎ温泉清温荘(岩手県) 
開催地(英) Seion-so, Tsunagi Hot Spring (Iwate) 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2012-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 19nm 64Gbit多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 19nm 112.8mm2 64Gb Multi-level(2bit/cell) Flash Memory with 400Mb/s/pin 1.8V Toggle Mode Interface 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) NANDフラッシュメモリー / NAND flash memory  
キーワード(2)(和/英) 19nmCMOS技術 / 19nm CMOS technology  
キーワード(3)(和/英) MLC(2bit/cell) / MLC(2bit/cell)  
キーワード(4)(和/英) トグルモード / Toggle Mode  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴田 昇 / Noboru Shibata / シバタ ノボル
第1著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 神田 和重 / Kazushige Kanda / カンダ カズシゲ
第2著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 久田 俊記 / Toshiki Hisada / ヒサダ トシキ
第3著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 磯部 克明 / Katsuaki Isobe / イソベ カツアキ
第4著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 学 / Manabu Sato / サトウ マナブ
第5著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 有威 / Yuui Shimizu / シミズ ユウイ
第6著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 孝洋 / Takahiro Shimizu / シミズ タカヒロ
第7著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉本 貴宏 / Takahiro Sugimoto / スギモト カヒロ
第8著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 智浩 / Tomohiro Kobayashi / コバヤシ トモヒロ
第9著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 犬塚 和子 / Kazuko Inuzuka / イヌズカ カズコ
第10著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 金川 直晃 / Naoaki Kanagawa / カナガワ ナオアキ
第11著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 梶谷 泰之 / Yasuyuki Kajitani / カジタニ ヤスユキ
第12著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 小川 武志 / Takeshi Ogawa / オガワ タケシ
第13著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 中井 潤 / Jiyun Nakai / ナカイ ジュン
第14著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 亀井 輝彦 / Teruhiko Kamei / カメイ テルヒコ
第15著者 所属(和/英) サンディスク株式会社 (略称: サンディスク)
SanDisk Limited (略称: SanDisk)
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講演者
発表日時 2012-04-23 12:30:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2012-1 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.15 
ページ範囲 pp.1-5 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ICD-2012-04-16 


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