| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-04-19 10:15 P3HT/n-Si有機無機ヘテロ接合ダイオードにおける界面処理の電気特性への影響 ○大山直樹・金子 翔・鹿又健作・廣瀬文彦（山形大）  ED2012-14 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-14 |
|
| 抄録 | （和） | スピンコート法でP3HT/n-Siヘテロ接合ダイオードを製作し、I-V測定で電気的特性を評価した。このプロセスに対して、Si表面の前処理としてSiC処理、スピンコート後の処理としてHF酸浸漬処理を試験したところ、いずれの処理でも順方向電流の増強が見られた。XPS分析によると、各処理によってヘテロ界面での層間膜SiOxの膜厚が異なり、膜厚を抑えることが順方向電流の特性改善に関与している可能性が示された。MIS構造の解析モデルであるCardらのモデルを用いて測定した特性を解析しモデルの妥当性の検討を行った。 |
| （英） | Current density–voltage (J-V) characteristics of P3HT/n-silicon heterojunction were investigated to evaluate electrical characteristics of the organic/inorganic heterojunction diodes. The diodes were fabricated by P3HT spin coating processes with surface treatments of SiC and HF treatments. The forward current density was enhanced by the treatments. The thicknesses of oxide layer between the P3HT film and the n-Si substrate strongly depends on the treatments. Effects of interfacial oxide layer of these heterojunction diodes on carrier transport properties were discussed with Card model. | |
| キーワード | （和） | フレキシブル素子 / ヘテロ接合 / ショットキーダイオード / ポリ（3-ヘキシルチオフェン） / / / / |
| （英） | flexible device / heterojunction / Schottky diode / poly(3-hexylthiophene) / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 5, ED2012-14, pp. 59-64, 2012年4月. | |
| 資料番号 | ED2012-14 | |
| 発行日 | 2012-04-11 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-14 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-14 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2012-04-18 - 2012-04-19 |
| 開催地（和） | 山形大学工学部 百周年記念会館大会議室 |
| 開催地（英） | Yamagata University |
| テーマ（和） | TFT（有機，酸化物），一般 |
| テーマ（英） | TFT(organic matters, oxides), others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-04-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | P3HT/n-Si有機無機ヘテロ接合ダイオードにおける界面処理の電気特性への影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of interfacial oxide layer of P3HT/n-Si organic/inorganic heterojunction diode on carrier transport properties |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フレキシブル素子 / flexible device |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロ接合 / heterojunction |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキーダイオード / Schottky diode |
| キーワード(4)（和/英） | ポリ（3-ヘキシルチオフェン） / poly(3-hexylthiophene) |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大山 直樹 / Naoki Oyama / オオヤマ ナオキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金子 翔 / Sho Kaneko / カネコ ショウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鹿又 健作 / Kensaku Kanomata / カノマタ ケンサク |
| 第3著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose / ヒロセ フミヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-04-19 10:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-14 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.5 |
| ページ範囲 | pp.59-64 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-04-11 (ED) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]