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講演抄録/キーワード
講演名 2012-04-18 13:50
F4TCNQのP3HT膜へのドーピングとそれを用いた有機薄膜トランジスタ
但木大介馬 騰張 晋逾飯野祥平木村康男庭野道夫東北大エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-3
抄録 (和) 近年、有機薄膜トランジスタ(OTFT)に関する研究が盛んに行われている。OTFTは、軽量で柔軟性を持った大面積デバイスを実現でき、有機ELディスプレイ等への応用が期待されている。OTFTを高電流で駆動したり、高周波で駆動したりするためには、さらなる特性の向上が必要とされる。そのためにはトランジスタの微小化が不可欠であるが、一般的な金属電極を用いたOTFTにおいてチャネル長を短くした場合、金属/有機界面におけるキャリア注入特性の影響を強く受け、見かけの移動度が低下し、微細化によって期待される特性が得られない。そこで本研究では、キャリア注入特性の影響を受けないOTFTの作製のために分子ドーピング技術の利用を試みた。まずキャリア注入特性へ及ぼす分子ドーピングの効果を変位電流評価法(DCM)により調べた。その結果、高ドープした有機層とドーピングしていない有機層との界面においてはキャリア注入現象が生じないことがわかった。また、多重内部反射型赤外吸収分光法(MIR-IRAS)によって分子ドーピングされた有機分子の化学状態を観測し、キャリア生成機構を調べた。最後に、高ドープした領域をソース及びドレイン電極とした、キャリア注入現象を介さないOTFTを作製し、それがトランジスタとして動作することを確認した。 
(英) Recently, organic thin film transistors (OTFTs) are widely studied because they have a potential to realize a flexible, light-weight and large-area devices and it is expected that they are applied to an organic electroluminescence display. High current or high frequency operation of an OTFT requires further improvement of its performance. Miniaturization is important for improvement of the performance of an OTFT. In general, the sham mobility is reduced by influence of a carrier injection phenomenon at the metal/organic layer interface and the expected performance is not realized even if the channel length is narrowed. In this study, a molecular doping technique was applied to fabrication of an OTFT which was independent of the carrier injection phenomenon. The influence of the molecular doping on carrier injection phenomenon was characterized by the displacement current measurement (DCM), and it was found that the carrier injection phenomenon did not take place at the interface between highly-doped and non-doped organic layers. In addition, the doping mechanism was investigated using infrared spectroscopy in the multiple internal reflection geometry (MIR-IRAS). Finally, we fabricated an OTFT in which source and drain electrodes were formed by doping layers and demonstrated its operation as a field effect transistor.
キーワード (和) 有機薄膜トランジスタ / キャリア注入 / 分子ドーピング / 変位電流評価法 / 多重内部反射型赤外吸収分光法 / / /  
(英) OTFTs(organic thin film transistors) / a carrier injection / a molecular doping / DCM(displacement current measurement) / MIR-IRAS(infrared absorption spectroscopy in the multiple internal reflection geometry) / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 5, ED2012-3, pp. 9-13, 2012年4月.
資料番号 ED2012-3 
発行日 2012-04-11 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2012-04-18 - 2012-04-19 
開催地(和) 山形大学工学部 百周年記念会館大会議室 
開催地(英) Yamagata University 
テーマ(和) TFT(有機,酸化物),一般 
テーマ(英) TFT(organic matters, oxides), others 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2012-04-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) F4TCNQのP3HT膜へのドーピングとそれを用いた有機薄膜トランジスタ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) F4TCNQ-doping into P3HT layers and its application to organic thin film transistors 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 有機薄膜トランジスタ / OTFTs(organic thin film transistors)  
キーワード(2)(和/英) キャリア注入 / a carrier injection  
キーワード(3)(和/英) 分子ドーピング / a molecular doping  
キーワード(4)(和/英) 変位電流評価法 / DCM(displacement current measurement)  
キーワード(5)(和/英) 多重内部反射型赤外吸収分光法 / MIR-IRAS(infrared absorption spectroscopy in the multiple internal reflection geometry)  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 但木 大介 / Daisuke Tadaki / タダキ ダイスケ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 馬 騰 / Teng Ma / マ タン
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 張 晋逾 / Jinyu Zhang / チョウ シンユ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 飯野 祥平 / Shohei Iino / イイノ ショウヘイ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 康男 / Yasuo Kimura / キムラ ヤスオ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 庭野 道夫 / Michio Niwano / ニワノ ミチオ
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者
発表日時 2012-04-18 13:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2012-3 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.5 
ページ範囲 pp.9-13 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2012-04-11 


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