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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-03-05 15:55 Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価 ○中塚 理（名大）・北田秀樹・金 永束（東大）・水島賢子・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大）・財満鎭明（名大）  SDM2011-184 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-184 |
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| 抄録 | （和） | Wafer-on-wafer技術の応用に向けて，積層した薄化Si層内部における局所歪構造を，顕微ラマン分光法およびX線マイクロ回折法によって評価した．貫通Siビア電極（TSV）周辺におけるサブミクロンスケールの歪揺らぎの存在を観察できた．X線マイクロ回折を用いた逆格子空間マップの測定によって，局所歪構造を面内および面直方向に分解して評価でき，その結果，TSV電極周辺の薄化Si層内部には異方的な歪構造が存在することが明らかになった． |
| （英） | We have investigated the local strain structure in a thinned Si layer stacked on Si substrate for wafer-on-a-wafer applications by using micro Raman spectroscopy and x-ray microdiffraction. The fluctuation of strains in the thin Si layer around through-silicon via (TSV) interconnects is observed with a sub-micrometer scale. We separately estimated the in-plane and out-of-plane strains in the thin Si layer with x-ray diffraction two-dimensional reciprocal space mapping. We found that the anisotropic strain structure is induced in the thin Si layer around TSV interconnects. | |
| キーワード | （和） | 貫通Siビア電極 / 歪 / マイクロ回折 / ウェハ貼り合わせ / / / / |
| （英） | Thorough Si via interconnect / Strain / Microdiffraction / Wafer bonding / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 463, SDM2011-184, pp. 47-52, 2012年3月. | |
| 資料番号 | SDM2011-184 | |
| 発行日 | 2012-02-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-184 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-184 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-03-05 - 2012-03-05 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | Wiring and Assembly Technology, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-03-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Local Strain around Through Silicon Via Interconnect in Wafer-on-wafer Structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 貫通Siビア電極 / Thorough Si via interconnect |
| キーワード(2)（和/英） | 歪 / Strain |
| キーワード(3)（和/英） | マイクロ回折 / Microdiffraction |
| キーワード(4)（和/英） | ウェハ貼り合わせ / Wafer bonding |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北田 秀樹 / Hideki Kitada / キタダ ヒデキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金 永束 / Young Suk Kim / Young Suk Kim |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水島 賢子 / Yoriko Mizushima / ミズシマ ヨリコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Lab.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 友二 / Tomoji Nakamura / ナカムラ ユウジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Lab.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大場 隆之 / Takayuki Ohba / オオバ タカユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-03-05 15:55:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-184 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.463 |
| ページ範囲 | pp.47-52 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-02-27 (SDM) |
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