講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-02-08 14:15
光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討 ○佐藤将来・村松 徹・葛西誠也(北大) ED2011-158 SDM2011-175 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-158 SDM2011-175 |
抄録 |
(和) |
半導体ナノワイヤ3分岐接合(TBJ)デバイスは,単純な構造ながら室温において特異な非線形特性を示し,アナログ回路やディジタル回路などへの様々な応用が期待されている.応用のためには動作機構に対する理解を深めることが不可欠である.本研究では,エッチングで形成したGaAsナノワイヤTBJデバイスへの光照射により局所的にコンダクタンスを増加させ構造中のコンダクタンスのドメイン箇所を同定する方法で非線形特性の評価を行い,これに基づき非線形動作の機構について検討する. |
(英) |
Semiconductor three-branch nanowire junction devices show nonlinear electrical characteristics at room temperature and they are expected to be applied to analog and digital circuit,but it is necessary that understanding the mechanism in order to be applied to circuits. In this study nonlinear characteristics in three-branch nanowire junction device is characterized by using method of increasing conductance by localized light irradiation to the device and the mechanism is discussed. |
キーワード |
(和) |
ナノワイヤ3分岐接合デバイス / 非線形伝達特性 / GaAs / / / / / |
(英) |
Three-branch nanowire junction (TBJ) device / Nonlinear transfer characteristic / GaAs / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 425, ED2011-158, pp. 95-99, 2012年2月. |
資料番号 |
ED2011-158 |
発行日 |
2012-01-31 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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