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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-02-08 10:20 MgF_(2)/Feナノドット/MgF_(2)薄膜における電気伝導特性 ○石川琢磨・佐藤栄太・浜田弘一・有田正志・高橋庸夫（北大）  ED2011-152 SDM2011-169 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-152 SDM2011-169 |
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| 抄録 | （和） | 表面清浄化に注意して準備したSiO2/Si基板上に，室温の交互蒸着法によりMgF2/Feナノドット/MgF2グラニュラー膜を作成し，基本的電気特性評価を行った．膜の電気伝導はパーコレーション膜厚（~ 5 nm）以下でトンネル伝導であった． Feナノドットサイズは3～5 nm程度であると考えられる．約2 nmの膜厚の試料に対して，室温で8.6%，4.6 Kで15.0%のトンネル磁気抵抗（TMR）効果が得られた． TMR比はバイアス電圧の増加に伴いいったん増加し，その後減少に転じた．最大のTMR比を与える電圧値は低温において低電圧側に移動し，詳細は不明であるものの，単電子伝導の寄与が期待される． |
| （英） | On carefully prepared SiO2/Si substrates, MgF2/Fe-nanodots/MgF2 granular films were prepared, and fundamental electric properties were measured. The conduction type of the films was tunneling when the Fe thickness was less than ca. 5 nm (the percolation thickness). The size of Fe-nanodot was roughly estimated as 3 – 5 nm. Tunneling magnetoresistance (TMR) ratios of 8.6% (@RT) and 15.0% (@4.6 K) were realized in the sample having thickness of about 2 nm. The TMR ratio was increased by increasing the bias voltage, and it decreased by further increment of voltage. Though the details are obscure, influence by single electron conduction is expected. | |
| キーワード | （和） | トンネル磁気抵抗効果 / ナノドット / 強磁性体 / / / / / |
| （英） | Tunneling magnetoresistance / Nanodot / Ferromagnetics / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 425, ED2011-152, pp. 59-64, 2012年2月. | |
| 資料番号 | ED2011-152 | |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-152 SDM2011-169 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-152 SDM2011-169 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2012-02-07 - 2012-02-08 |
| 開催地（和） | 北海道大学 百年記念会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MgF_(2)/Feナノドット/MgF_(2)薄膜における電気伝導特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical characteristics of MgF_(2)/Fe/MgF_(2) thin films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネル磁気抵抗効果 / Tunneling magnetoresistance |
| キーワード(2)（和/英） | ナノドット / Nanodot |
| キーワード(3)（和/英） | 強磁性体 / Ferromagnetics |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 琢磨 / Takuma Ishikawa / イシカワ タクマ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 栄太 / Eita Sato / サトウ エイタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浜田 弘一 / Kouichi Hamada / ハマダ コウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有田 正志 / Masashi Arita / アリタ マサシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 庸夫 / Yasuo Takahashi / タカハシ ヤスオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-02-08 10:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-152, SDM2011-169 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.425(ED), no.426(SDM) |
| ページ範囲 | pp.59-64 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) |
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