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講演抄録/キーワード
講演名 2012-02-08 13:25
CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響
鈴木耕佑大野雄高岸本 茂水谷 孝名大ED2011-156 SDM2011-173 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-156 SDM2011-173
抄録 (和) カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)のゲート絶縁膜界面に生ずる界面電荷について、ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いて調べ、Au電極やSiO2基板との界面付近に高濃度の正電荷が偏在することを見出している。デバイスシミュレーションにより、これらの界面電荷がCNFETの特性に及ぼす影響について調べ、主にAu電極とゲート絶縁膜との界面に存在する電荷がCNFETの伝導型極性を変化させることを明らかにしている。 
(英) We have investigated the interface charges generated at the interfaces of the gate insulator in carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs) by Kelvin probe force microscopy. It has been found that positive charges are concentrated near the interfaces of the gate insulator with Au electrodes and with a SiO2 substrate. We have also studied the effect of the positive interface charges on the property of CNFETs, using the device simulation. It has been revealed that the charges at the interface of the gate insulator with the Au electrodes is responsible for the change in the polarity of conduction carriers of CNFETs.
キーワード (和) カーボンナノチューブ / ALD / high-k / ゲート絶縁膜 / 界面 / / /  
(英) carbon nanotube / ALD / high-k / gate insulator / interface / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 425, ED2011-156, pp. 83-87, 2012年2月.
資料番号 ED2011-156 
発行日 2012-01-31 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード ED2011-156 SDM2011-173 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-156 SDM2011-173

研究会情報
研究会 ED SDM  
開催期間 2012-02-07 - 2012-02-08 
開催地(和) 北海道大学 百年記念会館 
開催地(英)  
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2012-02-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Charge distribution near interface of high-k gate insulator in CNFETs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) カーボンナノチューブ / carbon nanotube  
キーワード(2)(和/英) ALD / ALD  
キーワード(3)(和/英) high-k / high-k  
キーワード(4)(和/英) ゲート絶縁膜 / gate insulator  
キーワード(5)(和/英) 界面 / interface  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 耕佑 / Kosuke Suzuki / スズキ コウスケ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大野 雄高 / Yutaka Ohno / オオノ ユタカ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto / キシモト シゲル
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 水谷 孝 / Takashi Mizutani / ミズタニ タカシ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者
発表日時 2012-02-08 13:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2011-156,IEICE-SDM2011-173 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.425(ED), no.426(SDM) 
ページ範囲 pp.83-87 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2012-01-31,IEICE-SDM-2012-01-31 


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