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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-02-08 13:50 SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析 村松 徹・○葛西誠也・谷田部然治（北大）  ED2011-157 SDM2011-174 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-157 SDM2011-174 |
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| 抄録 | （和） | FETの微細化がすすむと素子自身が発する雑音が増加するといわれており，系統的評価や理解が必要である．本研究では次世代集積回路スイッチングデバイスの１つであるIII-V族化合物半導体絶縁ゲートナノワイヤトランジスタをとりあげ，低周波雑音の素子サイズ依存性の評価及びその解析を行った．本素子ではゲート絶縁膜であるSiN中の電子トラップ充放電による雑音が観測された．ナノワイヤ幅の微細化にともない雑音強度が増加すると同時に，スペクトル形状が1/ƒから1/ƒ2に連続的に変化した．電子トラップ分布を仮定したスペクトル計算を行い，特定の時定数を有するトラップの時定数分布広がりによってスペクトルの形状が連続的に変化することを説明する． |
| （英） | Low-frequency noise in SiN-gate GaAs-based nanowire field-effect transistors (FETs) is characterized and analyzed focusing on its device size dependence. Noise in a nanometer-scale semiconductor is an important issue, since it increases as the feature size is decreased. We observe the increased low-frequency noise in the nanowire current, which is caused by charging and discharging electron traps in the SiN gate insulator. As the nanowire width is decreased, the noise intensity increased and the spectral shape changes from 1/f to 1/f 2. Noise spectrum is analyzed by computing the spectrum for specific trap distribution functions in terms of time constant. We find the relationship between the spectral shape and the distribution function. Change of the observed spectral slope is understood in terms of the broadening of the trap distribution. | |
| キーワード | （和） | ナノワイヤFET / GaAs / 絶縁ゲート / 低周波雑音 / 時定数 / 分布関数 / / |
| （英） | nanowire FET / GaAs / Insulator gate / low frequency noise / time constant / distribution function / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 425, ED2011-157, pp. 89-93, 2012年2月. | |
| 資料番号 | ED2011-157 | |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-157 SDM2011-174 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-157 SDM2011-174 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2012-02-07 - 2012-02-08 |
| 開催地（和） | 北海道大学 百年記念会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization and Analysis of Low-Frequency Noise in SiN Insulator-Gate GaAs Etched Nanowire FETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノワイヤFET / nanowire FET |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 絶縁ゲート / Insulator gate |
| キーワード(4)（和/英） | 低周波雑音 / low frequency noise |
| キーワード(5)（和/英） | 時定数 / time constant |
| キーワード(6)（和/英） | 分布関数 / distribution function |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村松 徹 / Toru Muramatsu / ムラマツ トオル |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛西 誠也 / Seiya Kasai / カサイ セイヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷田部 然治 / Zenji Yatabe / ヤタベ ゼンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
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| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2012-02-08 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-157, SDM2011-174 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.425(ED), no.426(SDM) |
| ページ範囲 | pp.89-93 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) |
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