講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-02-07 15:15
パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性 ○竹中浩人・篠原迪人・内田貴史・有田正志(北大)・藤原 聡(NTT)・高橋庸夫(北大) ED2011-145 SDM2011-162 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-145 SDM2011-162 |
抄録 |
(和) |
単電子トランジスタ(SET)は、低消費電力で動作するデバイスとして知られているが、その高速動作性に関しては、十分調べられていない。SETのドレイン電極に交流電圧を印加すると、クーロンダイヤモンドの非対称性から整流作用を示すことが知られている。本研究では、ドレイン電極に高周波電圧を印加した際のこの整流作用を用いて、シリコンSETの高周波特性を評価できることを明らかにしたので報告する。 |
(英) |
Single electron transistor (SET) is a low power device. However, the high frequency operation properties have not been investigated. It is well known that when alternating current voltage is applied to drain terminal of SET, rectifying of the voltage occurs according as the gate voltage due to the asymmetry of Coulomb diamond. By the use of the effect, we evaluated the high-frequency properties of Si SETs by applying high-frequency alternating-current voltage to the drain terminal. |
キーワード |
(和) |
単電子 / クーロンダイヤモンド / 高周波 / 整流作用 / / / / |
(英) |
single-electron / Coulomb-diamond / high-frequency / rectifying-effect / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 426, SDM2011-162, pp. 19-24, 2012年2月. |
資料番号 |
SDM2011-162 |
発行日 |
2012-01-31 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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